Leistungshalbleiter

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die…

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für…

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit an…

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Unter dem Eindruck veränderter wirtschaftlicher Rahmenbedingungen rechnen die Analysten…

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

Resonac (ehemals Showa Denko K.K.) beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafer (SiC). Nun…

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter ein…

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der…

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele doch…

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf…