Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-MOSFETs

Die neue Generation kann mehr

Über die letzten gut zehn Jahre hat Rohm mehrere Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs vorgestellt. Was bei der neuen, vierten Generation verbessert wurde und welche Entwicklungsunterstützung es gibt, das wird im folgenden Beitrag beleuchtet.

Neuer Fünfjahresplan

China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid

Bis 2025 wird das chinesische Ministerium für Industrie und Informationstechnik (MIIT) im…

Massive Kapazitätserweiterung

Infineon eröffnet 300-mm-Fab in Villach

Nach drei Jahren Planung und Bau hat Infineon nun ihre neue, 1,6 Milliarden Euro teure…

Applied Materials / Siliziumkarbid

Umstieg auf 200-mm-SiC-Wafer beschleunigen

Derzeit migrieren die meisten Hersteller von SiC-Leistungshalbleiter von 150-mm- auf…

Leistungshalbleiter + Stromversorgungen

Keine Chance den Fake-Produkten!

Im Rahmen des diesjährigen, virtuellen Stromversorgungsforums der Markt&Technik (s. Trend…

Rohm Semiconductor

Netzteile mit 1700-V-SiC-MOSFETs plus Regler einfach designen

Bei SiC-MOSFETs gibt es noch einige Herausforderungen hinsichtlich ihrer Anwendung. Vor…

Energy-Harvesting-On-Chip-Subsystem

Ohne Batteriewechsel auskommen im IoT

Renesas‘ MCU-Familie RE01 ist für die Entwicklung von Energy-Harvesting-Systemen…

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums…

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation…

Yole Développement

China drängt auf den MOSFET-Markt

Bei Silizium-MOSFETs wird das künftige Wachstum besonders aus dem Automobilbereich kommen.…