Leistungshalbleiter

Rohm plant hohe Investitionen

Umweltschonende Power-Komponenten im Fokus

Bei Leistungsbauelementen ist Siliziumkarbid das Halbleitermaterial der Wahl. Rohm ist bei SiC-MOSFETs führend. Das Unternehmen entwickelt fortschrittliche SiC-Bauelemente mithilfe eines integrierten Produktionssystems mit einer Reihe von…

Wide Bandgap für die 5G-Infrastruktur

650-V-CoolSiC in modernen Telekommunikations-SMPS

Im Zuge des Aufbaus der 5G-Infrastruktur profitieren…

Schnelles Tanken an der Stromtankstelle

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen durch CoolSiC

Für effiziente und leistungsfähige Ladesäulen ist SiC die entscheidende…

ZVEI fordert sechs neue Halbleiter-Fabs

Markt für Leistungshalbleiter verdreifacht sich bis 2030

Bei Leistungshalbleitern ist Europa mit einem Anteil von 30 Prozent heute…

Siliziumkarbid-MOSFETs

Die neue Generation kann mehr

Über die letzten gut zehn Jahre hat Rohm mehrere Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs…

Neuer Fünfjahresplan

China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid

Bis 2025 wird das chinesische Ministerium für Industrie und Informationstechnik (MIIT) im…

Massive Kapazitätserweiterung

Infineon eröffnet 300-mm-Fab in Villach

Nach drei Jahren Planung und Bau hat Infineon nun ihre neue, 1,6 Milliarden Euro teure…

Applied Materials / Siliziumkarbid

Umstieg auf 200-mm-SiC-Wafer beschleunigen

Derzeit migrieren die meisten Hersteller von SiC-Leistungshalbleiter von 150-mm- auf…

Leistungshalbleiter + Stromversorgungen

Keine Chance den Fake-Produkten!

Im Rahmen des diesjährigen, virtuellen Stromversorgungsforums der Markt&Technik (s. Trend…

Rohm Semiconductor

Netzteile mit 1700-V-SiC-MOSFETs plus Regler einfach designen

Bei SiC-MOSFETs gibt es noch einige Herausforderungen hinsichtlich ihrer Anwendung. Vor…