Leistungshalbleiter

Neue 600-V-MOSFET-Familie von onsemi

SuperFET V in verschiedenen Ausprägungen erhältlich

Mit SuperFET V hat onsemi eine neue Serie von Silizium-MOSFETs mit 600 V Sperrspannung vorgestellt. Es gibt drei Ausprägungen, sodass diese Bauteile für verschiedene Anwendungen und Topologien optimiert sind.

STMicroelectronics

Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform...

Toshiba

Neuartiges Mixed-Signal-Treiber-IC für SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs können die Verluste in leistungselektronischen Systemen deutlich...

Advertorial

Brennstoffzellen effizient testen und simulieren

Funktionsgenerator, Autoranging und bis über 96 % Netzrückspeisung: Lösungen von EA...

Yole Développement

Elektromobilität befeuert das Packaging von Power-Modulen

Das Design von Power-Modulen und insbesondere der Packaging-Ansatz sind das Herzstück...

Neue OptiMOS-Generation von Infineon

Neue 100-V-MOSFETs für noch niedrigere Verluste

Mit OptiMOS 6 hat Infineon eine neue Generation an 100-V-MOSFETs vorgestellt. Gegenüber...

Leistungshalbleiter

SiC-Bedarf explodiert

Vor dem Hintergrund der sich weltweit vollziehenden Energie- und Mobilitätswende,...

Siliziumkarbid-Dioden

Nexperia startet ins SiC-Zeitalter

Nachdem Nexperia vor genau zwei Jahren sein Produktportfolio um...

Wirkungsgrad und Ökologie

Effizientere Leistungswandler dank SiC-Transistoren

In vielen Leistungswandlungs-Anwendungen bringen AC/DC-Wandler-Topologien bei hohen...

Übernahme im Bereich Siliziumkarbid

Qorvo übernimmt UnitedSiC

Um Zugang zu den schnell wachsenden Märkten für Elektrofahrzeuge, Energietechnik,...