Leistungshalbleiter

Standort Europa gestärkt

Nexperia investiert 700 Mio. US-Dollar vor allem in Europa

Nach der Investition in eine 300-mm-Fab nahe Shanghai legt Nexperia nach. In den nächsten zwölf bis 15 Monaten will das Unternehmen 700 Millionen US-Dollar vor allem in die europäischen Wafer-Fabs stecken.

Vorgehen der Bauelementehersteller

Priorisiertes Investment in Automotive-Kapazitäten

Von der Verwaltung des Mangels zu einem priorisierten Investment in...

Rohm Semiconductor plant Investitionen

»Wir legen unseren Fokus auf Analog-Power- und Power-Produkte«

Im April hat Wolfram Harnack als President die Verantwortung bei Rohm Semiconductor...

Rohm Semiconductor

150-V-GaN-Transistor mit 8 V Gate-Spannung

Galliumnitrid-Transistoren reagieren äußerst empfindlich auf zu hohe Gate-Spannungen....

Imec und Aixtron

GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert

Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf...

EPFL / Leistungselektronik

GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand

Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid...

Liefersicherheit bei Siliziumkarbid

Infineon schließt Liefervertrag mit Showa Denko

Im Rahmen ihrer Multisourcing-Strategie bei Siliziumkarbid hat Infineon einen...

Für schnell schaltende Anwendungen

MOSFET-Modul optimiert die Leistung von Solaranlagen

Infineon hat den EasyPack-2B-Modulen der 1200-V-Familie ein neues Bauteil hinzugefügt....

Neue 300-mm-Fab in Dresden

Erster Meilenstein erreicht und abgehakt

Exakt im Zeitplan verläuft bislang der Bau und die schrittweise Inbetriebnahme der...

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei...