Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor

150-V-GaN-Transistor mit 8 V Gate-Spannung

Galliumnitrid-Transistoren reagieren äußerst empfindlich auf zu hohe Gate-Spannungen. Nun hat Rohm einen 150-V-GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistors) entwickelt, der mit einem Nennwert von 8 V für die Gate-Spannung spezifiziert ist. Muster…

Imec und Aixtron

GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert

Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf…

EPFL / Leistungselektronik

GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand

Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid für…

Liefersicherheit bei Siliziumkarbid

Infineon schließt Liefervertrag mit Showa Denko

Im Rahmen ihrer Multisourcing-Strategie bei Siliziumkarbid hat Infineon einen…

Für schnell schaltende Anwendungen

MOSFET-Modul optimiert die Leistung von Solaranlagen

Infineon hat den EasyPack-2B-Modulen der 1200-V-Familie ein neues Bauteil hinzugefügt.…

Neue 300-mm-Fab in Dresden

Erster Meilenstein erreicht und abgehakt

Exakt im Zeitplan verläuft bislang der Bau und die schrittweise Inbetriebnahme der…

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei…

Milliardeninvestitionen bei Leistungs-HL

Siegeszug der 300-mm-Wafertechnologie

Mit dem Einzug der 300-mm-Fabs in die Leistungshalbleiterfertigung steht die Branche vor…

Marktumfrage bei Leistungshalbleitern

Hoffnungen ruhen auf dem Jahresende 2021

Von 20 bis 35 Wochen reichen derzeit die Lieferzeiten für die wichtigsten…

Vom Wafer bis zum SiC-Modul

SiC-Komponenten zu erschwinglichen Kosten

Eigene SiC-Wafer-Fertigung und technisch führenden SiC-Komponenten: »Damit wollen wir uns…