Leistungshalbleiter

Brückenlose Totem-Pole-PFC

SiC und GaN im direkten Vergleich

Die brückenlose Totem-Pole-PFC gilt als eine wichtige Anwendung für Wide-Bandgap-Leistungsschalter. Dieser Beitrag fasst eine Versuchsreihe zusammen, bei der verschiedene Wide-Bandgap-Schalter für diese Topologie getestet wurden.

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren brachte Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt....

Analyse von Yole Développement

2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke

Allein 2020 verdoppelte sich der Markt für GaN-basierte Leistungselektronik, getrieben...

1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden von Vishay

Perfekter Mix aus Energieeffizienz und Robustheit

Als H- und X-Serie bringt Vishay die neuen 1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden auf den Markt....

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar

Hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen »Anwenderforums...

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für...

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die...

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von...

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von...

Weitere Fertigungskapazitäten gesichert

Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab

Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry...