Leistungshalbleiter

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums Leistungshalbleiter“. Internationale Experten geben Tipps zum optimalen Einsatz von Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleitern.

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation...

Yole Développement

China drängt auf den MOSFET-Markt

Bei Silizium-MOSFETs wird das künftige Wachstum besonders aus dem Automobilbereich...

Leistungselektronik in Windkraftanlagen

Komponenten offshore-tauglich machen

Leistungselektronik sorgt in Windkraftanlagen dafür, dass die fluktuierend erzeugte...

Erweiterte Siliziumkarbid-Kapazitäten

onsemi übernimmt GTAT für 415 Mio. US-Dollar

Nun hat sich auch Infineon-Rivale onsemi im Bereich der SiC-Rohmaterialien verstärkt....

Yole Développement

Markt für IGBTs wächst auch weiterhin stark

Selbst wenn Siliziumkarbid den IGBTs Konkurrenz macht, auch der IGBT-Markt dürfte sich...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätige Keynote-Sprecher

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum Leistungshalbleiter noch einmal...

Siliziumkarbid-Wafer

Cree und STMicroelectronics erweitern Liefervereinbarung

Auch wenn STMicroelectronics erst kürzlich erste eigene Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm...

Brückenlose Totem-Pole-PFC

SiC und GaN im direkten Vergleich

Die brückenlose Totem-Pole-PFC gilt als eine wichtige Anwendung für...

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren brachte Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt....