Leistungshalbleiter

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und Durchlassverluste der vierten Generation an SiC-MOSFETs reduzieren können. Möglich macht dies eine neue Bauelementestruktur. Noch im August 2022 soll die Serienfertigung anlaufen.

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität...

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen...

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im...

Abgestrahlte/leitungsgebundene Störungen

Bitte nicht stören!

Ein Knacken im Radio, wenn der Kühlschrank anspringt, ist das eine; setzen Störfelder...

Know-how-Transfer in Präsenz

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Am 9. und 10. November ist es endlich wieder soweit!

Motor-Expert Suite für BridgeSwitch-ICs

Steuersoftware für Drei-Phasen-BLDC-Motortreiber

Power Integrations stellt eine neue Steuersoftware vor, die es in Kombination mit den...

Bond-Wireless-Verbindungen

Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik

Bond-Wireless-Verbindungen ersetzen in SMD-Leistungshalbleitergehäusen zunehmend die...

Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC

»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«

Mit einer Integrations-Roadmap und einer geplanten Erweiterung der Kapazitäten...

Rohm profitiert vom SiC-Boom

Viel Freude mit Leistungshalbleitern

Alle Zeichen stehen auf Expansion: Der Bedarf an Leistungshalbleitern steigt rasant....