Leistungshalbleiter

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

Infineon ist bereit für das große Wachstum

Laut den Analysten von Yole soll der Markt für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter in den nächsten Jahren sechsmal schneller wachsen als die Leistungselektronik. Markt&Technik fragte Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon, wie sich das…

Galliumnitrid-Transistoren

Rohm und Delta Electronics schließen strategische Partnerschaft

Um GaN-Bauelemente (Galliumnitrid) der nächsten Generation zu entwickeln und in Serie zu…

Marktanalyse von Yole

SiC-Anbieter entfalten sich entlang der Wertschöpfungskette

In ihrem Bericht »Power SiC 2022« kommen die Marktforscher von Yole Développement zu dem…

Keine Spur von Entspannung auf dem Markt

Lieferzeiten und Preise ziehen weiter an

Wie eine schlechte Situation noch schlechter werden kann, zeigt sich derzeit am deutschen…

Mangelware Leistungshalbleiter

Bis zu einem Jahr Lieferzeit für Halbleiter-Fertigungsequipment

Seit Herbst letzten Jahres haben sich die Lieferzeiten für Leistungshalbleiter noch einmal…

Siliziumkarbid

SiCrystal feiert 25-jähriges Bestehen

Das Halbleitermaterial Siliziumkarbid gilt als einer der Hoffnungsträger für die…

Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein…

Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind…

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…