Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

Mit II-VI hat Infineon einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Damit sichert sich der deutsche Halbleiterhersteller einen weiteren Zugang zu diesem strategischen Halbleitermaterial, um die stark steigende Kundennachfrage in diesem Bereich zu bedienen.

25 Jahre SiCrystal in Nürnberg

60 Prozent Wachstum pro Jahr als Herausforderung

Das Geschäft von SiCrystal, Nürnberger Hersteller von SiC-Wafern, boomt. Wie das zu...

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und...

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität...

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen...

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im...

Abgestrahlte/leitungsgebundene Störungen

Bitte nicht stören!

Ein Knacken im Radio, wenn der Kühlschrank anspringt, ist das eine; setzen Störfelder...

Know-how-Transfer in Präsenz

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Am 9. und 10. November ist es endlich wieder soweit!

Motor-Expert Suite für BridgeSwitch-ICs

Steuersoftware für Drei-Phasen-BLDC-Motortreiber

Power Integrations stellt eine neue Steuersoftware vor, die es in Kombination mit den...

Bond-Wireless-Verbindungen

Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik

Bond-Wireless-Verbindungen ersetzen in SMD-Leistungshalbleitergehäusen zunehmend die...