Leistungshalbleiter

Technischen Universität Chemnitz

Gehäuse für SiC-MOSFETs aus dem 3D-Drucker schaffen +300 °C

Forschende der TU Chemnitz haben Gehäuse für Leistungshalbleiter additiv in einem 3D-Drucker mit nachfolgendem Sintern gefertigt. Diese Gehäuse eignen sich besonders für Siliziumkarbid-MOSFETs und dürften Betriebstemperaturen bis +300 °C…

Marktanalyse von TrendForce

Umsatz bei Siliziumkarbid vervierfacht sich in vier Jahren

Bereits in diesem Jahr soll der Umsatz bei SiC-Halbleitern die Marke von 1 Milliarde…

Podiumsdiskussion auf der PCIM Europe

Auswege aus der MOSFET-Krise

Aktuell fehlen nicht nur Mikrocontroller, auch Leistungshalbleiter sind Mangelware. Vor…

Interview: Dr. John Palmour, Wolfspeed

»Thema Die Shrink noch lange nicht ausgereizt«

Als Mitbegründer von Wolfspeed, ehemals Cree, hat sich Dr. John Palmour von Anfang an für…

Neu: Semikron-Danfoss ab 2023

»Wir investieren massiv in eMPack-Module«

Semikron-Danfoss wird sich ab Januar 2023 als fusioniertes Unternehmen am Markt…

Gate-Treiber für SiC und GaN

Allegro MicroSystems übernimmt Heyday

Für 19 Mio. US-Dollar in bar übernimmt Allegro MicroSystems das Unternehmen Heyday…

Wayon

Kompakter CSP-MOSFET

Der neue CSP 20V/17mOhm-Dual-N-KanalTrench-MOSFET im CSP-Gehäuse von Wayon nimmt eine…

PCIM-Nachlese

Der SiC-Tsunami kommt!

Er kommt, der bereits vor der Corona-Pandemie prognostizierte SiC-Tsunami! Inzwischen ist…

Interview mit Dr. Giorgia Longobardi

Neuartige GaN-Transistoren von Cambridge GaN Devices

Auf der PCIM Europe hat Cambridge GaN Devices (CGD) neuartige GaN-Transistoren…

Wegen Nachfrage bei Elektroautos

Renesas will stillgelegte Fab wiederbeleben

Im Oktober 2014 hatte Renesas Electronics den Standort Kofu stillgelegt. Doch nun will das…