Leistungshalbleiter

2027 soll eigene Produktion starten

Rohm holt sich die GaN-Technologie von TSMC

Rohm übernimmt die 650 V GaN-Technologie von TSMC und baut bis 2027 eine eigene Produktion auf. Damit will Rohm die Nachfrage in KI-Servern decken. Nach dem Technologietransfer soll die bestehende Partnerschaft für Automotive-GaN enden.

Cambridge GaN Devices (CGD)

Fabio Necco folgt auf CGD-Mitgründerin Giorgia Longobardi

Cambridge GaN Devices (CGD) hat Fabio Necco zum Chief Executive Officer (CEO) ernannt.…

GaN-Mikrowechselrichter von Enphase

Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad

Der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy fokussiert sich verstärkt…

GaN-Leistungshalbleiter

onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen

onsemi und GlobalFoundries haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um neue…

Strategische Partnerschaft

Navitas und Cyient treiben GaN-Ökosystem in Indien voran

Navitas Semiconductor und das indische Unternehmen Cyient Semiconductors schließen eine…

Toshiba Electronics Europe

Superjunction-Leistungs-MOSFET im DFN8×8-Gehäuse

Toshiba Electronics Europe präsentiert im Rahmen der DTMOSVI 600-V-Serie einen…

STMicroelectronics

GaN-basierte SiPs für Weiße Ware und Fabrikautomatisierung

STMicroelectronics stellt seine GaNSPIN-GaN-Power-ICs für Motorantriebe vor. Sie bieten…

Advertorial: Avnet Silica

At the Pulse of the Market - The Avnet Silica Trendliner

Stay at the pulse of the semiconductor industry with our Trendliner: Explore the trends…

Bereich Industrieelektronik

Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise

Anders als im Automotive-Bereich herrscht in der Industrieelektronik nach dem Abriss der…

Infineon und SolarEdge kooperieren

Über 99 % Effizienz: SST für 800-Volt-DC-Infrastruktur

Infineon und SolarEdge arbeiten gemeinsam an der Entwicklung hocheffizienter…