Leistungshalbleiter

Toshiba Electronics Europe

Superjunction-Leistungs-MOSFET im DFN8×8-Gehäuse

Toshiba Electronics Europe präsentiert im Rahmen der DTMOSVI 600-V-Serie einen N-Kanal-Superjunction-Leistungs-MOSFET mit 600 V im kompakten DFN8×8-Gehäuse.

STMicroelectronics

GaN-basierte SiPs für Weiße Ware und Fabrikautomatisierung

STMicroelectronics stellt seine GaNSPIN-GaN-Power-ICs für Motorantriebe vor. Sie bieten…

Advertorial: Avnet Silica

At the Pulse of the Market - The Avnet Silica Trendliner

Stay at the pulse of the semiconductor industry with our Trendliner: Explore the trends…

Bereich Industrieelektronik

Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise

Anders als im Automotive-Bereich herrscht in der Industrieelektronik nach dem Abriss der…

Infineon und SolarEdge kooperieren

Über 99 % Effizienz: SST für 800-Volt-DC-Infrastruktur

Infineon und SolarEdge arbeiten gemeinsam an der Entwicklung hocheffizienter…

Aktuelle Entwicklungen im Überblick

Wie geht es mit Nexperia weiter?

Kehren alle Beteiligten noch auf den Pfad der Vernunft zurück? Gibt es noch eine…

Höhere Effizienz und Lebensdauer

SiC-Leistungsmodule im EasyPack C-Gehäuse

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom und andere industrielle Anwendungen…

Gehäuse mit höherer Effizienz

Neue N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Sechs neue Produkte mit den N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Chips der Serie DTMOSVI 600 V in…

Nexperia-Krise

Der Wirtschaftskrimi von Nijmegen

Nachdem die niederländische Regierung letztlich die Kontrolle über Nexperia übernommen…

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Im Vergleich zu klassischen Silizium-Lösungen bestechen GaN-Bauteile außer mit niedrigeren…