Leistungshalbleiter

Cambridge GaN Devices (CGD)

Fabio Necco folgt auf CGD-Mitgründerin Giorgia Longobardi

Cambridge GaN Devices (CGD) hat Fabio Necco zum Chief Executive Officer (CEO) ernannt. Ziel dieses Schrittes ist es, den Eintritt von CGD in zentrale Märkte weiter voranzutreiben.

GaN-Mikrowechselrichter von Enphase

Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad

Der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy fokussiert sich verstärkt…

GaN-Leistungshalbleiter

onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen

onsemi und GlobalFoundries haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um neue…

Strategische Partnerschaft

Navitas und Cyient treiben GaN-Ökosystem in Indien voran

Navitas Semiconductor und das indische Unternehmen Cyient Semiconductors schließen eine…

Toshiba Electronics Europe

Superjunction-Leistungs-MOSFET im DFN8×8-Gehäuse

Toshiba Electronics Europe präsentiert im Rahmen der DTMOSVI 600-V-Serie einen…

STMicroelectronics

GaN-basierte SiPs für Weiße Ware und Fabrikautomatisierung

STMicroelectronics stellt seine GaNSPIN-GaN-Power-ICs für Motorantriebe vor. Sie bieten…

Advertorial: Avnet Silica

At the Pulse of the Market - The Avnet Silica Trendliner

Stay at the pulse of the semiconductor industry with our Trendliner: Explore the trends…

Bereich Industrieelektronik

Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise

Anders als im Automotive-Bereich herrscht in der Industrieelektronik nach dem Abriss der…

Infineon und SolarEdge kooperieren

Über 99 % Effizienz: SST für 800-Volt-DC-Infrastruktur

Infineon und SolarEdge arbeiten gemeinsam an der Entwicklung hocheffizienter…

Aktuelle Entwicklungen im Überblick

Wie geht es mit Nexperia weiter?

Kehren alle Beteiligten noch auf den Pfad der Vernunft zurück? Gibt es noch eine…