Leistungshalbleiter

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den Bauteilkosten im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen. Was steckt eigentlich hinter dem hohen Preis? Wie lässt sich dieser senken? Und wie hoch könnten die Kosten in zehn Jahren sein?

Wolfspeed verzehnfacht Kapazität

Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik

Für mehrere Milliarden US-Dollar wird Wolfspeed in North Carolina eine neue...

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

Mit II-VI hat Infineon einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet....

25 Jahre SiCrystal in Nürnberg

60 Prozent Wachstum pro Jahr als Herausforderung

Das Geschäft von SiCrystal, Nürnberger Hersteller von SiC-Wafern, boomt. Wie das zu...

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und...

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität...

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen...

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im...

Abgestrahlte/leitungsgebundene Störungen

Bitte nicht stören!

Ein Knacken im Radio, wenn der Kühlschrank anspringt, ist das eine; setzen Störfelder...

Know-how-Transfer in Präsenz

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Am 9. und 10. November ist es endlich wieder soweit!