Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid

SiCrystal feiert 25-jähriges Bestehen

Das Halbleitermaterial Siliziumkarbid gilt als einer der Hoffnungsträger für die Klimaneutralität und die Mobilitätswende. Im April 1997 begann SiCrystal, solche Kristalle zu züchten. Heute ist das Nürnberger Unternehmen einer der globalen…

Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein…

Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind…

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für…

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es…

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und…