Leistungshalbleiter

Rohm präsentiert vierte Generation

Neue SiC-MOSFETs erweitern die Grenzen der Leistungselektronik

Die SiC-MOSFETs der vierten Generation von Rohm bieten verbesserte Charakteristika gegenüber der dritten Generation. Mehrere Anwendungen sowohl im Industrie- als auch im Automobilbereich können davon profitieren.

PCIM Europe 2022

Endlich wieder live!

Seit 1979 kommt die europäische Leistungshalbleiterbranche in Nürnberg zur PCIM...

Interview mit Prof. Leo Lorenz, PCIM

Von neuen Wegen bei Siliziumkarbid bis zum European Chips Act

Vom 10. bis 12. Mai 2022 treffen sich die Experten der Leistungselektronik auf der PCIM...

Marktstudie Leistungshalbleiter

Lieferfähigkeit am wichtigsten

Gerade hat WEKA Consulting die Marktstudie Leistungshalbleiter veröffentlicht. Diese...

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

Infineon ist bereit für das große Wachstum

Laut den Analysten von Yole soll der Markt für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter in den...

Galliumnitrid-Transistoren

Rohm und Delta Electronics schließen strategische Partnerschaft

Um GaN-Bauelemente (Galliumnitrid) der nächsten Generation zu entwickeln und in Serie...

Marktanalyse von Yole

SiC-Anbieter entfalten sich entlang der Wertschöpfungskette

In ihrem Bericht »Power SiC 2022« kommen die Marktforscher von Yole Développement zu...

Keine Spur von Entspannung auf dem Markt

Lieferzeiten und Preise ziehen weiter an

Wie eine schlechte Situation noch schlechter werden kann, zeigt sich derzeit am...

Mangelware Leistungshalbleiter

Bis zu einem Jahr Lieferzeit für Halbleiter-Fertigungsequipment

Seit Herbst letzten Jahres haben sich die Lieferzeiten für Leistungshalbleiter noch...

Siliziumkarbid

SiCrystal feiert 25-jähriges Bestehen

Das Halbleitermaterial Siliziumkarbid gilt als einer der Hoffnungsträger für die...