Leistungshalbleiter

Nexperia, Semiconductors
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Mangelware Leistungshalbleiter

Bis zu einem Jahr Lieferzeit für Halbleiter-Fertigungsequipment

Seit Herbst letzten Jahres haben sich die Lieferzeiten für Leistungshalbleiter noch einmal verlängert. Sie liegen aktuell zwischen 26 und 104 Wochen, im Durchschnitt also bei 52 Wochen Plus. Der schnelle Ausbau der Fertigungskapazitäten scheitert an langen Lieferzeiten des Fertigungsequipments.

Markt&Technik
SiCrystal, SiC, Silicon Carbide
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Siliziumkarbid

SiCrystal feiert 25-jähriges Bestehen

Das Halbleitermaterial Siliziumkarbid gilt als einer der Hoffnungsträger für die...

Markt&Technik
Infineon, M1H, CoolSiC
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Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der...

Elektronik
Microchip, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
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Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind...

Elektronik
Odyssey Semiconductor, Vertical GaN, Gallium Nitride, GalliumNitride
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Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil...

Elektronik
AIST, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
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Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine...

Elektronik
Showa Denko, Silicon Carbide, siliconcarbide
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Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu...

Markt&Technik
Innoscience
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Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden...

Markt&Technik
Toyoda Gosei, Gallium Nitride, galliumnitride, GaN
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Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für...

Elektronik
Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es wichtig, die Verlustleistung zu kennen. Über die kalorimetrische Methode lassen sich die verschiedenen Extraktionsmethoden vergleichen
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Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es...

Elektronik