Leistungshalbleiter

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an seinem Hauptsitz im französischen Bernin eine neue Fertigungseinrichtung bauen. Die mit dieser Technologie gefertigten SmartSiC-Wafer sollen die hohen Materialkosten…

Simulationswerkzeug von Infineon

Lebensdauer von Power-Modulen automatisiert vorhersagen

Für industrielle Kunden gewinnt die Abschätzung der Lebensdauer von Leistungsmodulen in…

Microchip

SSD-Controller mit »Cloud-Ready«- und Sicherheitsfunktionen

Den neuen Flash-Speicher-Controller von Microchip ist für SDD-Laufwerke mit einem…

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

Der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten wächst laut TrendForce von 2021 bis 2025 rasant,…

Marktstudie Leistungshalbleiter

Amazon-Gutscheine zu gewinnen!

Hiermit laden wir Sie ein, sich bis zum 31. März 2022 an unserer großen Marktstudie…

Interview mit Armin Derpmanns, Toshiba

»Wir fokussieren uns jetzt voll auf Power«

Gerade im Jahr 2021 ist bei Toshiba viel passiert. Markt&Technik nahm die Eröffnung des…

Studie von Knometa Reserach

Zahl der 300-mm-Waferfabs steigt bis 2026 um 25 Prozent

153 Halbleiter-Fabs weltweit konnten Ende letzten Jahres 300-mm-Wafer prozessieren. Bis…

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem…

Chip-Krise

Lenovo sieht Entspannung bei Engpässen

Lenovo sieht eine Entspannung bei der Bauteile-Knappheit. Es gebe zwar immer noch einige…

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia,…