Leistungshalbleiter

Interview mit Armin Derpmanns, Toshiba

»Wir fokussieren uns jetzt voll auf Power«

Gerade im Jahr 2021 ist bei Toshiba viel passiert. Markt&Technik nahm die Eröffnung des High-Voltage-Labors in Deutschland zum Anlass, um von Armin Derpmanns, General Manager Semiconductor Marketing bei Toshiba Electronics Europe, mehr über diese…

Studie von Knometa Reserach

Zahl der 300-mm-Waferfabs steigt bis 2026 um 25 Prozent

153 Halbleiter-Fabs weltweit konnten Ende letzten Jahres 300-mm-Wafer prozessieren. Bis…

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem…

Chip-Krise

Lenovo sieht Entspannung bei Engpässen

Lenovo sieht eine Entspannung bei der Bauteile-Knappheit. Es gebe zwar immer noch einige…

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia,…

Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

BelGaN hat die Waferfab von onsemi im belgischen Oudenaarde übernommen, um diese zu einer…

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Mit 400 TWh benötigen Rechenzentren etwa zwei Prozent des weltweit erzeugten elektrischen…

Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

Im März 2021 hatte Toshiba bereits den Bau einer neuen 300-mm-Waferfab angekündigt, aber…

Fuji Electric

Investitionen in die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern

Um die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zu erhöhen, will Fuji Electric in seinen…

Themenwoche Leistungselektronik

Alle Beiträge im Überblick

Die Themenwoche »Leistungselektronik und Stromversorgung« liegt hinter uns. Hier finden…