Startseite > Halbleiter > Leistungshalbleiter > Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

GaN-Technologie

Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

15. März 2024, 9:02 Uhr | Iris Stroh

Infineon Technologies hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. und Innoscience America, Inc. sowie verbundene Unternehmen (im Folgenden: Innoscience) erhoben.

▶ Diesen Artikel anhören

Infineon macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung eines US-Patents geltend, das die von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie zum Gegenstand hat. Die Patentansprüche beziehen sich auf wesentliche Eigenschaften von GaN-Leistungshalbleitern und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der von Infineon entwickelten GaN-Bauelemente gewährleisten. Die Klage wurde beim Bezirksgericht im Northern District of California eingereicht.

Darum geht's: Galliumnitrid (GaN)

Kurz erklärt: GaN ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter mit überragender Schaltleistung, was zu kleineren, effizienteren und kostengünstigeren Stromversorgungssystemen führt.

Infineon wirft Innoscience vor, das genannte Patent durch die Herstellung, den Gebrauch, das Anbieten, den Verkauf und/oder den Import in die USA von verschiedenen Produkten, darunter GaN-Transistoren für zahlreiche Anwendungen in der Automobilindustrie, in Rechenzentren, in Solar-Anwendungen, bei Antrieben, in der Unterhaltungselektronik sowie bei verwandten Produkten für den Einsatz in Automotive-, Industrie- und kommerziellen Applikationen zu verletzen.

Infineon will seine 350 Patente rund um GaN-Forschungen schützen

»Die Produktion von Galliumnitrid-Leistungstransistoren erfordert völlig neue Halbleiterdesigns und -prozesse«, sagte Adam White, Division President Power & Sensor Systems bei Infineon. »Mit seiner GaN-Erfahrung aus rund zwei Jahrzehnten kann Infineon die herausragende Qualität garantieren, die für die höchste Leistung der jeweiligen Endprodukte erforderlich ist. Wir schützen unser geistiges Eigentum mit Nachdruck und handeln damit im Interesse aller Kunden und Endverbrauchenden.« Infineon investiert seit Jahrzehnten in die GaN-F&E, Produktentwicklung und entsprechendes Fertigungs-Know-how. Infineon wird auch weiterhin sein geistiges Eigentum verteidigen und seine Investitionen schützen.

Mit Abschluss der Übernahme von GaN Systems Inc. am 24. Oktober 2023 wurde Infineon laut Unternehmensangabe zu einem führenden GaN-Powerhouse und baute seine führende Position bei Leistungshalbleitern weiter aus. Infineon ist mit einem rund 350 Patentfamilien starken GaN-Patentportfolio branchenführend. Marktanalysten erwarten bis 2028 einen Anstieg des GaN-Umsatzes für Leistungsanwendungen um 49% CAGR auf circa 2 Milliarden US-Dollar (Quelle: Yole, Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023).