Leistungshalbleiter

Nexperia

1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen

Nexperia stellt zwei neue 1200 V und 20 A Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) für anspruchsvolle Industrieanwendungen vor: PSC20120J und PSC20120L.

Delta Electronics/Rohm

Eine Partnerschaft, die sich für beide Seiten lohnt

2022 schlossen Rohm und Delta Electronics eine strategische Partnerschaft, um…

Texas Instruments

Leistungsstufen für humanoide Roboter

Humanoide Roboter benötigen leistungsdichte, thermisch optimierte Antriebe mit Spannungen…

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

Kurze Lieferzeiten, sinkende Preise – ein klassischer Käufermarkt also. Für 2025 dürfte…

»Übergang zu 8 Zoll hat sich verzögert«

High-End-MOSFETs und IGBTs kommen in Zukunft vermehrt aus China

Jean-Christophe Eloy, Gründer und Präsident der Yole Groupe, und Poshun Chiu, Senior…

Vishay

80V MOSFET mit führendem RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ

Um höhere Effizienzen und Leistungsdichten für industrielle Anwendungen zu erzielen, hat…

Wolfspeed

Dr. David Emerson wird Chief Operating Officer

Robert Feurle, CEO von Wolfspeed, hatte bereits auf der PCIM erklärt, dass das Unternehmen…

Infineon Technologies

Leistungsmodule für Traktionsumrichter von Rivian

Infineon Technologies beliefert Rivian mit Leistungsmodulen für Traktionsumrichter in der…

Infineon Technologies

»Rad-hard« GaN-Transistoren mit DLA-JANS-Zertifizierung

Infineon Technologies bringt eine neue Produktfamilie strahlungsbeständiger (rad-hard)…

Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Strom mit nur einem Bauelement in beide Richtungen steuern zu können, das ist der Heilige…