Leistungshalbleiter

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Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und…

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onsemi
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onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität für…

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Navitas, GeneSiC, Acquisition
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GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen…

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Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im folgenden…

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Abgestrahlte/leitungsgebundene Störungen

Bitte nicht stören!

Ein Knacken im Radio, wenn der Kühlschrank anspringt, ist das eine; setzen Störfelder…

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Forum Leistungshalbleiter
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Know-how-Transfer in Präsenz

6. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Am 9. und 10. November ist es endlich wieder soweit!

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Power Integrations
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Motor-Expert Suite für BridgeSwitch-ICs

Steuersoftware für Drei-Phasen-BLDC-Motortreiber

Power Integrations stellt eine neue Steuersoftware vor, die es in Kombination mit den…

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Vishay
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Bond-Wireless-Verbindungen

Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik

Bond-Wireless-Verbindungen ersetzen in SMD-Leistungshalbleitergehäusen zunehmend die…

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Lidow EPC
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Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC

»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«

Mit einer Integrations-Roadmap und einer geplanten Erweiterung der Kapazitäten unternimmt…

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Rohm
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Rohm profitiert vom SiC-Boom

Viel Freude mit Leistungshalbleitern

Alle Zeichen stehen auf Expansion: Der Bedarf an Leistungshalbleitern steigt rasant. Rohm…

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