In Nürnberg stehen am PCIM-Stand von Beck Elektronik leistungsstarke Komponenten für die Zukunft der Energieumwandlung und -verteilung im Fokus.
Thermisch gealterte Silikongele können wesentlich zur Effizienz und Zuverlässigkeit von…
Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren…
Durch die Kombination von AlN-Keramik und SiC-MOSFETs entstehen kompakte, effiziente und…
Strategische Zukäufe stärken onsemi im SiC-Markt. Gleichzeitig eröffnet der…
Leistungselektronik war bislang eine Domäne weniger Hersteller. Inzwischen drängt China in…
Mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) ermöglichen auf Basis von Halbleiter…
SiC vs. GaN vs. SJ MOSFETs vs. IGBTs? Jede Technologie hat ihren Platz, deshalb betrachten…
Rohm hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess)…
Infineon Technologies liefert ab dem ersten Quartal 2025 die ersten 200-mm-SiC-Produkte…