Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics schließt Liefervertrag mit SiCrystal

Der Bedarf an SiC-Bauelementen im Automobil- und Industriesektor steigt. STMicroelectronics sichert den Bestand in einem mehrjährigen Vertrag mit SiCrystal.

SiCrystal und STMicroelectronics

Mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer

Wie hoch der erwartete Bedarf an Siliziumkarbid-MOSFETs besonders für die Elektromobilität…

Leistungshalbleiterumsätze 2020

Es geht wieder aufwärts

Auch wenn der Leistungshalbleiterumsatz 2019 in einigen Produktbereichen von…

Bauelemente für die kommenden Trends

Kundenanforderungen voraus

Drei Trends werden die Halbleiterhersteller 2020 antreiben, um neue Techniken und…

ECPE-Workshop

Leistungsmodule der Zukunft

Wide-Bandgap-Halbleiter und Elektromobilität stellen die Aufbau- und Verbindungstechnik…

Power Integrations

»Wir schützen unsere IP mit aller Konsequenz!«

Seit bekannt wurde, dass Power Integrations (PI) in der jüngsten Generation seiner…

Kleiner, schneller, energieeffizienter

Leistungsstarke Bauelemente für den digitalen Wandel

Hocheffiziente Leistungshalbleiter sollen die Voraussetzungen für vielfältige neue…

Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der…

Leistungshalbleiter / Galliumnitrid

Nun startet auch Nexperia ins GaN-Zeitalter

Nach zehnjähriger Entwicklungszeit startet Nexperia mit einem 60-mΩ-HEMT seine Serie an…

Tipps für Schaltnetzteil-Designer

Hohe Energiedichte mit eGaN

Eine steigende Nachfrage nach Schaltnetzteilen mit hoher Energiedichte hat eGaN-HEMTs zu…