Leistungshalbleiter

© Leonrosenbaum / Wikimedia Commons

ECPE-Workshop

Leistungsmodule der Zukunft

Wide-Bandgap-Halbleiter und Elektromobilität stellen die Aufbau- und Verbindungstechnik vor ganz neue Herausforderungen. Grund genug für das European Center for Power Electronics (ECPE), einen Workshop zu »Advanced Power Packaging – Power Modules…

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© Markt&Technik

Power Integrations

»Wir schützen unsere IP mit aller Konsequenz!«

Seit bekannt wurde, dass Power Integrations (PI) in der jüngsten Generation seiner…

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© FBH/schurian.com

Kleiner, schneller, energieeffizienter

Leistungsstarke Bauelemente für den digitalen Wandel

Hocheffiziente Leistungshalbleiter sollen die Voraussetzungen für vielfältige neue…

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© Componeers GmbH

Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der…

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© Nexperia

Leistungshalbleiter / Galliumnitrid

Nun startet auch Nexperia ins GaN-Zeitalter

Nach zehnjähriger Entwicklungszeit startet Nexperia mit einem 60-mΩ-HEMT seine Serie an…

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© DigiKey

Tipps für Schaltnetzteil-Designer

Hohe Energiedichte mit eGaN

Eine steigende Nachfrage nach Schaltnetzteilen mit hoher Energiedichte hat eGaN-HEMTs zu…

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© Cree / ABB

Partnerschaft im SiC-Bereich

Cree arbeitet mit ABB zusammen

Cree erweitert sein Netz am Partnerschaften im SiC-Bereich und liefert in Zukunft…

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© Rohm

Rohm: Neuer Buck-Boost-DC/DC-Wandler

Batterien laufen länger

Rohm kündigt die Verfügbarkeit eines Buck-Boost-Wandler-ICs mit integrierten MOSFETs an.…

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© Bilder: Power Integrations

Primärseitige Leistungsschalter mit GaN

Erweiterter Leistungsbereich

Im Juli 2019 präsentierte Power Integrations neue Mitglieder seiner Offline-CV/…

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© FBH/schurian.com

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das…

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