Galliumnitrid-Transistoren reagieren äußerst empfindlich auf zu hohe Gate-Spannungen. Nun…
Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf…
Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid für…
Im Rahmen ihrer Multisourcing-Strategie bei Siliziumkarbid hat Infineon einen…
Infineon hat den EasyPack-2B-Modulen der 1200-V-Familie ein neues Bauteil hinzugefügt.…
Exakt im Zeitplan verläuft bislang der Bau und die schrittweise Inbetriebnahme der…
Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei…
Mit dem Einzug der 300-mm-Fabs in die Leistungshalbleiterfertigung steht die Branche vor…
Von 20 bis 35 Wochen reichen derzeit die Lieferzeiten für die wichtigsten…
Eigene SiC-Wafer-Fertigung und technisch führenden SiC-Komponenten: »Damit wollen wir uns…
