Leistungshalbleiter

»Übergang zu 8 Zoll hat sich verzögert«

High-End-MOSFETs und IGBTs kommen in Zukunft vermehrt aus China

Jean-Christophe Eloy, Gründer und Präsident der Yole Groupe, und Poshun Chiu, Senior Market & Technology Analyst bei der Yole Group, sind sich einig: Chinas Bedeutung als Absatzmarkt und als Hersteller von SiC-High-End-MOSFETs und -IGBTs wird in den kommenden Jahren deutlich zunehmen.

Infineon Technologies

»Rad-hard« GaN-Transistoren mit DLA-JANS-Zertifizierung

Infineon Technologies bringt eine neue Produktfamilie strahlungsbeständiger (rad-hard)...

Infineon Technologies

Leistungsmodule für Traktionsumrichter von Rivian

Infineon Technologies beliefert Rivian mit Leistungsmodulen für Traktionsumrichter in...

Vishay

80V MOSFET mit führendem RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ

Um höhere Effizienzen und Leistungsdichten für industrielle Anwendungen zu erzielen,...

Wolfspeed

Dr. David Emerson wird Chief Operating Officer

Robert Feurle, CEO von Wolfspeed, hatte bereits auf der PCIM erklärt, dass das...

Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Strom mit nur einem Bauelement in beide Richtungen steuern zu können, das ist der...

Paneldiskussion auf der Technology Stage

Themen auf der PCIM: Vom Wide-Bandgap-Einsatz bis Nachhaltigkeit

Zwei Paneldiskussion der Markt&Technik auf der Technology Stage in Halle 4 der PCIM...

Optimierung parasitärer Effekte

Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs

Parasitäre Elemente auf dem Strompfad sind zentrale Aspekte der elektronischen...

Rohm Semiconductor

Highlights für E-Mobility und Industrial

Zu den Ausstellungsstücken auf der Messe gehört eine Wechselrichtereinheit mit dem...

Schukat electronic

Umfassendes Produktspektrum

Gemeinsam mit seinem langjährigen Partner TSC Taiwan Semiconductor ist Schukat...