Schwerpunkte
Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese Technologie noch viel Verbesserungspotenzial – besonders für Power-Module. Über aktuelle Forschungsergebnisse aus dem Projekt AlCuBo sprachen wir mit Martin…
Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus…
Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit…
Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener…
Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM)…
Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die…
Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big…
Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben…
Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die…
Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules…
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