STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für…
Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die…
Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von…
Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern…
Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry…
Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan…
Die Siliziumkarbid (SiC) Technologie eignet sich hervorragend um Silizium (Si) in MOSFETs…
Nach der Investition in eine 300-mm-Fab nahe Shanghai legt Nexperia nach. In den nächsten…
Von der Verwaltung des Mangels zu einem priorisierten Investment in…
Im April hat Wolfram Harnack als President die Verantwortung bei Rohm Semiconductor Europe…
