Schwerpunkte
Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs mit einer Serie mit 650 V Sperrspannung nach unten erweitert. Wir fragten Dr. Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion in der Power Management & Multimarket Division, warum.
Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar…
Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von…
Sicherheit im Auto bedeutet nicht nur, ob der Fahrer angeschnallt…
Mit der Lieferung von rund 38 Millionen MOSFETs unterstützt Infineon…
Ihren elften Zuverlässigkeitsbericht ihrer GaN-Bauteile hat EPC…
Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von…
In der Corona-Krise ist der Bedarf an medizintechnischen Produkten…
Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf…
Mit massiven Investitionen in seine SiC- und…
