Leistungshalbleiter

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© onsemi/Componeers

onsemi verbessert Position durch Zukäufe

Klarer Fokus auf Leistungselektronik

Strategische Zukäufe stärken onsemi im SiC-Markt. Gleichzeitig eröffnet der offensichtliche Wiedereinstieg ins GaN-Geschäft im Bereich Vertical GaN eine kostengünstige Alternative im High-Power-Bereich. Klappt die Übernahme von Allegro Microsystem, ergäbe das ein ziemlich gutes Gesamtpaket.

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Leistungselektronikindustrie

Wachstum, Herausforderungen und strategische Veränderungen

Leistungselektronik war bislang eine Domäne weniger Hersteller. Inzwischen drängt China...

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© Angst+Pfister

Advertorial: A+P Sensors and Power

Prozesse und technologische Herausforderungen bei Niederdruck MEM

Mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) ermöglichen auf Basis von Halbleiter...

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© Power Integrations

Wo GaN möglich ist, gehört GaN auch hin

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SiC vs. GaN vs. SJ MOSFETs vs. IGBTs? Jede Technologie hat ihren Platz, deshalb...

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650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (
© Rohm

Hohe Wärmeableitung

650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

Rohm hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess)...

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Infineon liefert erste Siliziumkarbid-Produkte an Kunden aus, die auf der fortschrittlichen 200 Millimeter SiC-Technologie basieren
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Aus der Fab in Villach

Infineon liefert erste SiC-Produkte auf 200-mm-Wafern aus

Infineon Technologies liefert ab dem ersten Quartal 2025 die ersten 200-mm-SiC-Produkte...

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Lisette Hausser VP Mesago Messe Frankfurt GmbH
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Am 9. und 10. Dezember 2025

PCIM Asia feiert Premiere in Indien

Die etablierte Leistungselektronik-Plattform PCIM Expo & Conference kündigt ihre erste...

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Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

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Hohe Leistungsdichten führen zu hohen Betriebstemperaturen, aber was bedeutet das für...

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Die Rolle von Halbleitern

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