Leistungshalbleiter

Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) gewinnen bei der Entwicklung elektrischer Antriebssysteme immer mehr an Bedeutung. Bisher war es jedoch schwierig, geringe Verluste bei kleiner Baugröße zu erreichen. Rohm stellt sich dieser…

Für extreme thermische Bedingungen

Robuste Leistungselektronik mit SiC

Hohe Leistungsdichten führen zu hohen Betriebstemperaturen, aber was bedeutet das für…

Die Rolle von Halbleitern

Keine KI ohne Strom: Große Herausforderungen für Rechenzentren

Rasante Fortschritte bei KI-Anwendungen und das zunehmende Tempo der Anwenderakzeptanz von…

Grundsteinlegung

Infineon Technologies: Neue Backend-Produktion in Thailand

Infineon startet den Bau einer neuen Backend-Halbleiterfabrik in Samut Prakan, Thailand,…

QPT

Drei Ansätze, um den Verbrauch von Elektromotoren zu senken

Laut der International Energy Agency haben »Elektromotoren den größten Einzelanteil am…

Das waren die Highlights

Unsere Top-Events 2024 auf elektroniknet.de

Die schönsten Impressionen von den großen Events der WEKA Fachmedien 2024 auf einen Blick

OptiMOS Linear FET 2 MOSFET

Optimaler Hot-Swap- und Batterieschutz

Der OptiMOS 5 Linear FET 2 MOSFET von Infineon Technologies vereint niedrigen R DS(on) und…

Toshiba Electronics Europe

SiC-MOSFET-Muster für 1200 V im Bare-Die-Format

Toshiba Electronics Europe hat 1200-V-SiC-MOSFETs mit niedrigem RDS(ON) und hoher…

Infineon Technologies

Dekarbonisierung und Digitalisierung

Infineon Technologies demonstriert, wie Halbleiter den Weg zu einer Netto-Null-Wirtschaft…

Leistungshalbleiterbranche

Hartnäckige »Booking Pause«

Von einem aktuellen »Dornröschenschlaf« der Leistungshalbleiterbranche spricht Harald…