Rohm
SiC-MOSFETs mit deutlich geringerem Durchlasswiderstand
Rohm hat mit der fünften Generation seiner EcoSiC-Serie neue SiC-MOSFETs entwickelt. Die Bauelemente sind für hocheffiziente Leistungsanwendungen optimiert und eignen sich für elektrische Antriebe in Fahrzeugen sowie für KI-Server und industrielle Anwendungen wie Rechenzentren.
Mit den SiC-MOSFETs der fünften Generation hat Rohm die neuesten Bauelemente seiner EcoSiC-Serie entwickelt. Die Technologie ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen optimiert und eignet sich ideal für elektrische Antriebssysteme in Fahrzeugen, beispielsweise für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (xEVs), sowie für die Stromversorgung von KI-Servern und Industrieanwendungen wie Rechenzentren.
In der Automobilbranche erfordern Elektrofahrzeuge der nächsten Generation eine größere Reichweite und schnellere Ladezeiten. Das erhöht den Bedarf an verlustarmen Wechselrichtern und leistungsstärkeren Bordladegeräten. Vor diesem Hintergrund kommen SiC-Bauelemente, die sowohl geringe Verluste als auch einen hohen Wirkungsgrad bieten, zunehmend in Hochleistungsanwendungen im Bereich von wenigen Kilowatt bis zu Hunderten von Kilowatt zum Einsatz. Auch die rasante Verbreitung generativer KI und die Verarbeitung großer Datenmengen führt zu einem Anstieg der Leistungsdichte und lässt Bedenken hinsichtlich lokaler Versorgungsengpässe aufkommen. Intelligente Stromnetze, die erneuerbare Energiequellen (z. B. Solarenergie) mit bestehenden Stromversorgungsnetzen verbinden, zeichnen sich zwar als mögliche Lösung ab, doch bleibt die Minimierung von Verlusten bei der Energieumwandlung und -speicherung eine zentrale Herausforderung.
Die neu entwickelten SiC-MOSFETs der fünften Generation zeichnen sich laut Rohm durch die branchenweit niedrigsten Verluste aus. Durch strukturelle Verbesserungen und die Optimierung des Herstellungsprozesses konnte der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb (Tj = 175 °C) im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation (unter gleichen Bedingungen hinsichtlich Durchbruchspannung und Chipgröße) um ca. 30 Prozent reduziert werden. Diese Verbesserung trägt dazu bei, die Baugröße zu verringern und gleichzeitig die Ausgangsleistung in Hochtemperaturanwendungen wie Antriebswechselrichtern für xEVs zu erhöhen.