Leistungshalbleiter

Das duale NX-SiC-Modul

Effizienz und Kompatibilität

Gehäuse, die noch aus der Si-IGBT-Ära stammen, hemmen den Übergang zu Leistungsmodulen auf Basis der SiC-MOSFETs, da sie hohe parasitäre Induktivität aufweisen. ­Mitsubishi Electric löst das Problem mit einem modifizierten NX-Gehäuses mit einer…

Leistungshalbleiterbranche ist abgekühlt

Rückkehr zum Wachstum und neue Chancen durch KI

Nach Jahren des Wachstums plötzlich Bremsspuren. Eine sinkende Nachfrage nach E-Autos…

Aerospace/Defense/5G

GaN-on-SiC-Leistungsverstärker für höchste Ansprüche

Es gibt Anwendungen, die extrem hohe Anforderungen an die genutzten Leistungsverstärker…

Leistungsdichte bis zu 140 W/Inch3

400-V-CoolSiC-MOSFETs eröffnen hohe Effizienz

Um KI-Server- und Telekommunikationsnetzteile mit Ausgangsleistungen von 5,5 bis 8 kW zu…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 1: Unerwartet holprige Geschäftsentwicklung

In den letzten Jahren war der Boom der Leistungshalbleiter ungebrochen, die jährlichen…

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht werden.…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und…

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren Anforderungen…