Leistungshalbleiter

Wo GaN möglich ist, gehört GaN auch hin

Wie die GaN-Welle ins Rollen kommt

SiC vs. GaN vs. SJ MOSFETs vs. IGBTs? Jede Technologie hat ihren Platz, deshalb betrachten wir bei Power Integrations GaN nicht als Markt, sondern als Technologie. GaN ist nur eine von vielen Technologien in unserem Arsenal, und wir verwenden stets diejenige, die wir für die geeignetste halten.

Hohe Wärmeableitung

650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

Rohm hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess)...

Aus der Fab in Villach

Infineon liefert erste SiC-Produkte auf 200-mm-Wafern aus

Infineon Technologies liefert ab dem ersten Quartal 2025 die ersten 200-mm-SiC-Produkte...

Am 9. und 10. Dezember 2025

PCIM Asia feiert Premiere in Indien

Die etablierte Leistungselektronik-Plattform PCIM Expo & Conference kündigt ihre erste...

Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) gewinnen bei der Entwicklung elektrischer...

Für extreme thermische Bedingungen

Robuste Leistungselektronik mit SiC

Hohe Leistungsdichten führen zu hohen Betriebstemperaturen, aber was bedeutet das für...

Die Rolle von Halbleitern

Keine KI ohne Strom: Große Herausforderungen für Rechenzentren

Rasante Fortschritte bei KI-Anwendungen und das zunehmende Tempo der Anwenderakzeptanz...

Grundsteinlegung

Infineon Technologies: Neue Backend-Produktion in Thailand

Infineon startet den Bau einer neuen Backend-Halbleiterfabrik in Samut Prakan,...

QPT

Drei Ansätze, um den Verbrauch von Elektromotoren zu senken

Laut der International Energy Agency haben »Elektromotoren den größten Einzelanteil am...

Das waren die Highlights

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