Leistungshalbleiter

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Hohe Leistungsdichte

DualPack-3-IGBT7-Module

Microchip präsentiert sechs neue DualPack-3-Leistungsmodule auf IGBT7-Basis mit 1200/1700 V und 300 bis 900 A. Sie senken Verluste um bis zu 20 %, arbeiten bis 175 °C, sparen Platz und Kosten.

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Video: Power Talk Leistungshalbleiter 2

Zölle, Lieferkette und Fertigung in den USA?

Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Anfang September 2025 mit Ole…

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Video: Power Talk Leistungshalbleiter 1

Geschäftsverlauf 2025, aktuelle Marktsituation, Erwartungen 2026?

Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Anfang September 2025 mit Ole…

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© Würth Elektronik

Verlustarme Induktivitäten

Schlüsselbauelement für die nächste Generation Leistungsumwandler

In den letzten Jahren haben die Fortschritte bei der Effizienz von Leistungstransistoren…

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© Würth Elektronik

Advertorial: Würth Elektronik

TVS-Dioden - Spannungsspitzen wirksam unterdrücken

In vielen Anwendungen können unerwartet transiente Überspannungen auftreten, die das…

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Alle Beiträge im Überblick

Online-Themenwoche: Leistungselektronik

In dieser Woche informieren wir Sie vom 15. bis 19. September 2025 in unserer…

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© Lingji / Infineon

Infineon und Lingji unterzeichnen MoU

GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge

Infineon Technologies und Lingji Innovation Technology haben eine Absichtserklärung…

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iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Zeitgleich zum Beginn der Massenproduktion des ersten Produkts seiner…

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Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Seit 2002 führte Balu Balakrishnan Power Integrations. In der Halbleiterbranche eine…

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© CGD

Cambridge GaN Devices

Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

Cambridge GaN Devices holt mit Robin Lyle als Vice President für Forschung und Entwicklung…

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