Leistungshalbleiter

Kooperation mit der Foundry Vanguard

EPC dehnt die GaN-Fertigung auf 200-mm-Wafer aus

Ab Anfang 2023 wird Vanguard International Semiconductor (VIS)…

Galliumnitrid auf keramischem Substrat

Vanguard startet Massenfertigung von GaN-on-QST

Üblicherweise nutzt man Silizium-Wafer als Substrat für GaN-Transistoren. Doch nun hat die…

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Da Wafer-Substrate noch länger der Engpass bei Siliziumkarbid bleiben, gibt es…

electronica 2022 - Podiumsdiskussion

Galliumnitrid für industrielle und automobile Anwendungen

Galliumnitrid wird in Millionen-Stückzahlen in Ladegeräten für unsere mobilen Geräte…

Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und…

Galliumnitrid-Transistoren

EPC präsentiert sechste eGaN-Generation

Fünfmal kleiner als ein äquivalenter Silizium-MOSFET und doppelt so leistungsfähig wie die…

Supermicro kooperiert mit Infineon

Hocheffiziente Leistungsstufen machen Rechenzentren »grün«

Videostreaming, virtuelle Konferenzen, Cloud-Dienste und Kryptowährungen führen dazu, dass…

Lage auf dem Leistungshalbleitermarkt

Noch keine Entspannung der Versorgungsprobleme in Sicht

Auch wenn sich in Asien die Bedarfe der Konsumgüter-Industrie abschwächen: Auf die…

Erste Erfolge im EU-Projekt YESvGaN

Vertikale GaN-Transistoren zu Kosten von Silizium

Laterale GaN-auf-Silizium-HEMTs sind mittlerweile breit am Markt verfügbar. Vertikale…

Advertorial

Swissbit auf der electronica 2022

Nach vier Jahren kehrt Swissbit vom 15. bis 18. November auf die electronica in München…