Leistungshalbleiter

Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive

CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs

Nexperia stellt seine neuen AEC-Q101-qualifizierten 100-V-MOSFETs in kompakten, 12 x 12 mm großen CCPAK1212-Gehäusen mit Kupferclip vor. Die MOSFETs eignen sich gut für thermisch anspruchsvolle 48-V-Automobilanwendungen.

Fertigungspartner gefunden

iDEAL Semiconductor arbeitet mit Polar Semiconductor zusammen

Es ist soweit: Die hocheffizienten SuperQ-Silizium-Leistungshalbleiter von iDEAL…

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800-V und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?

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StarPower

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StarPower hat 2005 als Assembly-Unternehmen für Leistungsmodule angefangen, die…

Hohe Flexibilität und Leistungsdichte

2-in-1-SiC-Modul im DOT-247-Gehäuse

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Hohe Leistungsdichte

DualPack-3-IGBT7-Module

Microchip präsentiert sechs neue DualPack-3-Leistungsmodule auf IGBT7-Basis mit 1200/1700…

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Verlustarme Induktivitäten

Schlüsselbauelement für die nächste Generation Leistungsumwandler

In den letzten Jahren haben die Fortschritte bei der Effizienz von Leistungstransistoren…

Advertorial: Würth Elektronik

TVS-Dioden - Spannungsspitzen wirksam unterdrücken

In vielen Anwendungen können unerwartet transiente Überspannungen auftreten, die das…