Leistungshalbleiter

Prof. Leo Lorenz im Interview

Faszination Leistungselektronik

Seit Ende der 1970er-Jahre hat Leo Lorenz maßgeblich am MOSFET, am IGBT, am CoolMOS und an…

STMicroelectronics

Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania

Um seine Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Beschaffung mit SiC-Roh- und…

Prof. Leo Lorenz, ECPE

»China wird das eigene Ziel nicht erreichen«

Bis 2035 will China 35 Prozent aller Halbleiter selbst entwickeln, fertigen und weltweit…

Siliziumkarbid

onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache

Erst vor ein paar Wochen hatte onsemi seine Produktion von SiC-Boules in Hudson, New…

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC)…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Navitas hat nun GaN-Halbbrücken-ICs vorgestellt, die Schaltfrequenzen im MHz-Bereich…

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…