Leistungshalbleiter

Infineon, M1H, CoolSiC
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Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein…

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Microchip, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
© Microchip Technology

Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind…

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Odyssey Semiconductor, Vertical GaN, Gallium Nitride, GalliumNitride
© Odyssey Semiconductor

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

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AIST, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
© AIST

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

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Showa Denko, Silicon Carbide, siliconcarbide
© Showa Denko

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

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Innoscience
© Innoscience

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

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Toyoda Gosei, Gallium Nitride, galliumnitride, GaN
© Toyoda Gosei

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für…

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Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es wichtig, die Verlustleistung zu kennen. Über die kalorimetrische Methode lassen sich die verschiedenen Extraktionsmethoden vergleichen
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Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es…

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II-VI Incorporated, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide
© II-VI Incorporated

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und…

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Soitec, Silicon Carbide, SiliconCarbide, SmartCut, SmartSiC
© Soitec

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an…

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