Leistungshalbleiter

Der Nexperia-Standort in Hamburg
© Nexperia

Leistungselektronik

Start der Nexperia-Stiftungsprofessur an der TU Hamburg

Mit einer feierlichen Antrittsvorlesung von Prof. Dr.-Ing. Holger Kapels ist an der Technischen Universität Hamburg (TU Hamburg) eine neue Stiftungsprofessur für Bauelemente in der Leistungselektronik offiziell gestartet.

Elektronik
Delta und Microchip arbeiten bei der SiC-Technologie zusammen
© Microchip Technology

Ziel: Mehr Nachhaltigkeit

Microchip & Delta treiben SiC-Technologie voran

Microchip und Delta Electronics kooperieren, um SiC-Lösungen für effiziente und...

Markt&Technik
Jennifer Lloyd von Power Integrations
© Power Integrations

Power Integration findet CEO-Nachfolger

Dr. Jennifer Lloyd wird Nachfolgerin von Balu Balakrishnan

CEO-Suche erfolgreich beendet. Power Intergrations holt Halbleiterveteranin Dr....

Markt&Technik
Die neuen SiC-Dioden ermöglichen hocheffiziente Energiewandlung für KI-Serverfarmen, Telekommunikation und Solarwechselrichter
© Nexperia

Nexperia

1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen

Nexperia stellt zwei neue 1200 V und 20 A Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) für...

Markt&Technik
Rohm Semiconductor
© Rohm Semiconductor

Delta Electronics/Rohm

Eine Partnerschaft, die sich für beide Seiten lohnt

2022 schlossen Rohm und Delta Electronics eine strategische Partnerschaft, um...

Markt&Technik
Der DRV8316C ist ein für 40 V und 8 A Spitzenstrom ausgelegter 3-Phasen-Motortreiber, in dem die FETs und drei CSAs (Current Sense Amplifier) integriert sind.
© Texas Instruments / #1276197453@stock.adobe.com

Texas Instruments

Leistungsstufen für humanoide Roboter

Humanoide Roboter benötigen leistungsdichte, thermisch optimierte Antriebe mit...

Markt&Technik
Marktrecherche LHL
© Componeers GmbH

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

Kurze Lieferzeiten, sinkende Preise – ein klassischer Käufermarkt also. Für 2025 dürfte...

Markt&Technik
Eloy und Poshun
© Yole Groupe

»Übergang zu 8 Zoll hat sich verzögert«

High-End-MOSFETs und IGBTs kommen in Zukunft vermehrt aus China

Jean-Christophe Eloy, Gründer und Präsident der Yole Groupe, und Poshun Chiu, Senior...

Markt&Technik
Strahlungsgehärtete GaN-Transistoren mit DLA-JANS-Zertifizierung
© Infineon Technologies

Infineon Technologies

»Rad-hard« GaN-Transistoren mit DLA-JANS-Zertifizierung

Infineon Technologies bringt eine neue Produktfamilie strahlungsbeständiger (rad-hard)...

Elektronik
HybridPACK Drive G2
© Infineon Technologies

Infineon Technologies

Leistungsmodule für Traktionsumrichter von Rivian

Infineon Technologies beliefert Rivian mit Leistungsmodulen für Traktionsumrichter in...

Elektronik automotive