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Hat der Höhenflug ein Ende?

China bremst Speicherpreise


Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Verlagerung oder Ausbau der Fertigungskapazitäten?

Ein mögliche Reaktion Samsungs und anderer Hersteller sieht DRAMeXchange darin, dass die Produktion auf DRAM-Typen mit höheren Margen zu verlagern. Die mobilen DRAMs würden sich jetzt bereits durch den niedrigsten Preis pro GBit auszeichnen.

Die Intervention der chinesischen Regierung könnte Samsung zudem veranlassen, die DRAM-Kapazitäten früher als geplant zu erweitern. Laut Plan sollte die neue DRAM-Linie im zweiten Stock der Fab in Pyeongtaek im zweiten Halbjahr 2018 hochfahren. Vielleicht ginge es ja auch früher.

NAND-Flash-Preise sinken sowieso

Weit weniger Einfluss hätte das Treffen zwischen der NDRC und Samsung auf die Preise im NAND-Flash-Markt. Erstens sei schon jetzt mit fallenden Preisen zu rechnen und zweitens sei der Einfluss von Samsung auf diesen Markt geringer als auf den Markt für DRAMs.

Laut DRAMeXchange sei der Bedarf an 3D-NAND-ICs nicht so hoch ausgefallen wie erwartet, gleichzeitig sie die Fertigungskapazität gestiegen. Noch im ersten Halbjahr würde es deshalb mehr dieser NAND-ICs gefertigt, als die Anwender abnehmen könnten. Deshalb würden auch die Preise im Laufe der ersten zwei Quartale weiter fallen.

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