Firma

Toshiba Electronics Europe GmbH

Toshiba Electronics Europe

Automotive-MOSFETs im neuen Gehäuse

Toshiba Electronics Europe stellt zwei 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für den Automotive-Bereich vor, die auf dem neuesten U-MOS-IX-H-Prozess basieren. Die Bausteine verwenden ein neues S-TOGLTM-Gehäuse (Small Transistor Outline Gull-Wing Leads), das…

Technischer Durchbruch

YMTC mit 232-Layer-NAND-Flash

Als »überraschend« werten die Analysten von Yole, dass YMTC als erster Hersteller…

Toshiba Electronics Europe

Neuer President und CEO

Toshiba Electronics Europe hat Peter Lieberwirth mit Wirkung zum 1. Juli zum neuen…

Quantencomputer

Toshiba und Classiq kooperieren

Toshiba Digital Solutions und Classiq kooperieren im gate-basierten Quantencomputing und…

SiC-MOSFET-Fertigungskapazitäten

»Jeder Neueinsteiger wird begrüßt - selbst vom Wettbewerb«

Trotz der Milliarden-Investitionen in SiC-Fertigungskapazitäten haben Industrie-Insider…

Toshiba Electronics

SiC-Cube

Toshiba Electronics Europe stellt auf der Messe unter anderem den SiC-Cube vor, der mit…

Rückblick »Battery&Power World 2023«

Gelungener Restart

Nach zwei Jahren virtueller Veranstaltungen war den etwa 130 Teilnehmenden an der…

Übernahme von Toshiba

Japanisches Konsortium unterbreitet finales Angebot

Nach zwei Jahren Hängepartie könnte die Restrukturierung von Toshiba nun zu Ende gehen.…

Im L-TOGL-Gehäuse

40 V-MOSFETs mit hoher Strombelastbarkeit

Toshiba stellt zwei neue 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor.…

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die…