Firma

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants aus Silizium. Mit den SiC-MOSFETs der dritten Generation von Toshiba (Vertrieb: Glyn) können Entwickler gleich drei Sparvorteile in ihrer Applikation…

Elektromobilität

Es führt kein Weg vorbei

Anfang Dezember 2022 meldete der VDA, dass der Elektroanteil einen neuen Allzeitrekord…

Versorgung mit Halbleitern

Was kommt 2023?

Anfang dieses Jahres waren sich mehr oder minder alle einig: Die Lieferengpässe, die…

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der…

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf…

Fulminantes electronica-Comeback

»Die Stimmung ist überraschend positiv«

Zur überraschend positiven Stimmung auf der electronica passen die jüngsten ZVEI-Zahlen…

Lage auf dem Leistungshalbleitermarkt

Noch keine Entspannung der Versorgungsprobleme in Sicht

Auch wenn sich in Asien die Bedarfe der Konsumgüter-Industrie abschwächen: Auf die…

Vier Mythen im Faktencheck

Sind Festplatten veraltet?

Zählt der Speicherklassiker »Festplatte« zum alten Eisen, weil er aus vielen Endgeräten…

Sinnvolles »Shrinken«

Miniaturisierung von Mixed-Signal-ICs geht anders

In der digitalen Welt wird mithilfe kleinerer Prozessstrukturen die Miniaturisierung…

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und…