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Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die Herausforderungen im Schaltungsdesign. Der Einsatz von integrierten Smart-Gate-Treibern mit UL/cUL-Zertifizierung kann die Entwicklungszeit maßgeblich verkürzen.

Wechselstationen für Batterien

Kann das funktionieren?

Vor einigen Jahren hatte Better Place versucht, mit Wechselstationen und…

Software-Defined Vehicle

Gar nicht so einfach!

Die Idee eines Software-definierten Fahrzeugs hat durchaus ihre Reize, die Umsetzung ist…

HDD-Markt 2023

Das sind die wichtigsten Trends

Hohen Kapazitäten und niedrigen Kosten pro Kapazitätseinheit: Angesichts exponentiell…

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

Elektromobilität

Es führt kein Weg vorbei

Anfang Dezember 2022 meldete der VDA, dass der Elektroanteil einen neuen Allzeitrekord…

Versorgung mit Halbleitern

Was kommt 2023?

Anfang dieses Jahres waren sich mehr oder minder alle einig: Die Lieferengpässe, die…

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der…

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf…

Fulminantes electronica-Comeback

»Die Stimmung ist überraschend positiv«

Zur überraschend positiven Stimmung auf der electronica passen die jüngsten ZVEI-Zahlen…