Wissenschaftspreis f. Industrieforschung
Neue Messmethode für die Wafer-Inspektion
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Wesentliche Vorteile des neuen Verfahrens
Gegenüber herkömmlichen Deflektometern ergeben sich wesentliche Vorteile: Ein erheblich geringerer Kalibrieraufwand und geringere systematische Messabweichungen erlauben das Erreichen der hohen geforderten Messgenauigkeit. Da es sich um ein neigungsmessendes Verfahren handelt, ist es zudem von Natur aus robust gegenüber externen Störungen. Ein besonderer Vorteil für die Halbleiterindustrie ist außerdem die Möglichkeit, auch große Siliziumwafer mit einer einzigen Aufnahme vollflächig zu vermessen. Das Verfahren erlaubt zudem die Erfassung von Oberflächen unterschiedlichster Beschaffenheit, wie beispielsweise poliert, geschliffen oder strukturiert. So kann bei der Herstellung von Siliziumscheiben bereits in einem frühen Stadium des Produktionsprozesses eine Qualitätskontrolle erfolgen und nicht erst – wie bisher üblich – als Endkontrolle nach dem Polieren.
Auch außerhalb der Halbleiterfertigung eröffnet die neue Messtechnik in vielen Anwendungsbereichen eine verhältnismäßig kostengünstige und vergleichsweise einfache Erfassung von Unebenheiten im Bereich weniger Nanometer. Denkbar wären beispielsweise die hochgenaue und großflächige Messung spiegelnder oder hochreflektiver Oberflächen in der Optikindustrie sowie die Riss- und Defekterkennung beim Polieren, Lackieren und Beschichten.
Für seine Dissertation mit dem Titel „Telezentrische Deflektometrie zur Nanotopographiemessung von Halbleiterscheiben“ ist Dr. Alexander Tobisch mit dem Wissenschaftspreis der Industrieforschung 2018 ausgezeichnet worden.
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