IEDM 2016
Speicher: Evolution und Revolution
Fortsetzung des Artikels von Teil 3
Es herrsche Revolution
Auch wenn Lee die Evolution in der Speicherwelt noch nicht für beendet hält, ist er überzeugt, dass gleichzeitig auch revolutionäre Wege beschritten werden müssen. Als revolutionär bezeichnet Lee »neue Speichertechnologien«. Neu ist in dem Fall ein dehnbarer Begriff, denn es wird schon lange an ihnen geforscht, aber den Durchbruch im Markt haben alle noch nicht erreicht - hauptsächlich aus Performance-Gründen, aber auch weil sie hinsichtlich Kosten pro Bit nicht konkurrenzfähig sind. Für einen revolutionären Ansatz gibt es aus Lees Sicht noch drei Kandidaten: PCRAM, ReRAM und STT-MRAM. Lee: »Gerade das Kostenproblem ist durch die Weiterentwicklung von 3D-NANDs noch verschärft worden.« In diesem Sinne müsse die Weiterentwicklung bei den neuen Speichertechniken vor allem an einer Kostenreduzierung orientieren, vorausgesetzt, dass die Leistung natürlich ausreicht. Ein gangbares Beispiel für ReRAM und PCRAM wären 3D-Strukturen (Cross-Point oder Pillar-Typ). In Hinblick auf STT-MRAM ist Lee der Überzeugung, dass diese Technik hinsichtlich Kosten nicht konkurrenzfähig werden kann. Deshalb sollte hier der Fokus auf hoher Performance liegen und nicht auf hohe Speicherkapazität oder niedrige Kosten. Wobei Lee die STT-MRAM-Technik für einen geeigneten Kandidaten hält, wenn es um embedded Typen wie e-Flash, e-DRAM oder e-SRAM geht, für den Einsatz als Standalone-Speicher seien noch einige Weiterentwicklungen notwendig.
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