IEDM 2016

Speicher: Evolution und Revolution

13. Dezember 2016, 15:21 Uhr | Iris Stroh
Dr. Seok-Hee Lee, SK Hynix: »Speicher machen die Revolution, die mit Industrie 4.0, einhergeht, erst möglich.«
© Elektronik

Zukünftige Anwendungen bringen riesige Datenmengen mit sich und erfordern höchste Systemleistung. Um mit diesen Anforderungen Schritt halten zu können, müssen in der Speichertechnik evolutionäre und revolutionäre Ansätze verknüpft werden.

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Das machte Dr. Seok-Hee Lee, Executive Vice President, Head of DRAM Product and Technology von SK Hynix, in seiner Keynote zur diesjährigen IEDM deutlich. Egal ob IoT, Industrie 4.0, autonomes Fahren oder VR, alle brauchen eine deutlich höhere Systemleistung. Und um dieser Anforderung gerecht zu werden, sind aus Lees Sicht besonders die Speicherhersteller gefordert: »Speichertechnologien sind die Treiber, um diese Anwendungen Realität werden zu lassen.« Denn auch wenn die Prozessorhersteller über Jahrzehnte hinweg die Leistung ihrer Komponenten dank der Skalierung deutlich erhöhen konnten, seit rund 2005 flacht die Kurve ab. Ergo ist Lee der Überzeugung, dass die Speicher jetzt gefordert sind, um die System-Performance auf das gewünschte Niveau zu bringen. Nur wie? Mit einer weiteren Skalierung oder sind komplett neue Ansätze notwendig? Lee ist der Überzeugung, dass beide Möglichkeiten genutzt werden müssen. Also rein evolutionär, sprich die Skalierung bestehender Technologien weiter vorantreiben, und über revolutionäre Ansätze mit neuen Speichertechnologien.

Dr. Seok-Hee Lee, SK Hynix, ist der Überzeugung, dass nur die Kombination aus revolutionären und evolutionären Ansätzen ausreicht, um die zukünftigen Anforderungen an Speicher erfüllen zu können.
Dr. Seok-Hee Lee, SK Hynix, ist der Überzeugung, dass nur die Kombination aus revolutionären und evolutionären Ansätzen ausreicht, um die zukünftigen Anforderungen an Speicher erfüllen zu können.
© SK Hynix

Revolution klingt zunächst einmal anstrengend, aber auch die Evolution ist alles andere als trivial. Denn um auf heutige Strukturgrößen von 1x-nm zu kommen, mussten die Speicherhersteller schon zum Teil neue Strukturen, Materialien und Prozesse einführen, »was wiederum die Komplexität und die Kosten in der Fertigung deutlich nach oben getrieben haben«, so Lee. Er sieht bei einer weiteren Skalierung sowohl bei DRAMs als auch NAND-Flashs noch diverse Probleme, aber auch Möglichkeiten, diese zu überwinden.


  1. Speicher: Evolution und Revolution
  2. DRAM-Technologie
  3. NAND-Flash-Technologie
  4. Es herrsche Revolution

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