ROHM
Serienfertigung von 650-V-GaN-HEMTs angelaufen
ROHM hat mit der Serienfertigung der 650V GaN (Galliumnitrid) HEMTs »GNP1070TC-Z« und »GNP1150TCA-Z« begonnen. Die neuen Produkte, die zusammen mit Ancora Semiconductors entwickelt wurden, sind für eine Vielzahl von Stromversorgungssystemen optimiert.
Die Verbesserung der Effizienz von Stromversorgungen und Motoren, die den größten Teil des weltweiten Stromverbrauchs ausmachen, ist zu einer großen Herausforderung auf dem Weg zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft geworden. Die Einführung neuer Materialien wie GaN und SiC (Siliziumkarbid) ist der Schlüssel für eine effizientere Stromversorgung.
Nach dem Beginn der Serienfertigung von 150-V-GaN-HEMTs – mit einer Gate-Durchbruchsspannung von 8 V – im Jahr 2022, führte ROHM im März 2023 eine Steuer-IC-Technologie zur Leistungsmaximierung von GaN-Bauelementen ein. Die neuen »GNP1070TC-Z« und »GNP1150TCA-Z« bieten eine branchenführende Performance in Bezug auf RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss und steigern damit die Effizienz von Stromversorgungssystemen. Gleichzeitig verbessert ein integriertes ESD-Schutzelement die elektrostatische Durchschlagsfestigkeit auf bis zu 3,5 kV. Dies erhöht die Zuverlässigkeit der Anwendung. Die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik der GaN-HEMTs trägt auch zur weiteren Miniaturisierung von Peripheriekomponenten bei.
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