Leistungshalbleiter

Kommentar von Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz

Japan, du hast es besser

In Deutschland besteht ein Defizit an Kenntnis der Leitungselektronik in der Allgemeinbildung. Durch Über einen längeren Zeitraum wurden dringend erforderliche Forschungs- und Entwicklungsmaßnahmen im Bereich der Leistungselektronik nicht angemessen…

Markt&Technik-Forum »Trends in der…

Chance für zweistellige Wachstumsraten im Jahr 2015

Mit der Chance auf vielleicht sogar zweistellige Zuwachsraten rechnen die Teilnehmer des…

SiC-MOSFETs und -Dioden

Die Auswahl wird größer

Dank seiner größeren Bandlücke hat Siliziumkarbid Vorteile gegenüber Silizium. Wegen des…

Interview mit Dr. Helmut Gassel

Infineons 300-mm-Dünnwafer-Projekt in Dresden läuft nach Plan

Ab 2016, so Dr. Helmut Gassel, Division President Industrial Power Control (IPC), werde…

Transphorm

600-V-GaN-Transistor im TO-247-Gehäuse

Transphorm bietet ab sofort Entwicklungsmuster seines 600-V-Transistors »TPH3205WS« an,…

Infineon und Panasonic

Dual-Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Bausteine

Infineon und Panasonic haben vereinbart, gemeinsam GaN-Bausteine zu entwickeln, die auf…

Cree Z-Rec

Vier neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden

Cree erweitert sein Produktportfolio um vier 650-V-Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid. Mit…

Vishay

500-V-MOSFETs nach Gen-II-Super-Junction-Technologie

Vishay hat elf neue 500-V-MOSFETs der E-Serie sollen Anwendern helfen, Leistungs- und…

GaN Systems

Distributionsabkommen mit Ecomal Europe

Der Hersteller von Galliumnitrid-Leistungs-Transistoren GaN Systems hat ein…

STMicroelectronics

1200-V-SiC-MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen

STMicroelectronics erweitert sein Produktportfolio um einen 1200-V-SiC-MOSFET mit einem…