Leistungshalbleiter

Transphorm

600-V-GaN-Transistor im TO-247-Gehäuse

Transphorm bietet ab sofort Entwicklungsmuster seines 600-V-Transistors »TPH3205WS« an, nach eigener Aussage der erste GaN-Transistor in einem TO-247-Gehäuse. Er eignet sich für Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne…

Infineon und Panasonic

Dual-Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Bausteine

Infineon und Panasonic haben vereinbart, gemeinsam GaN-Bausteine zu entwickeln, die auf…

Cree Z-Rec

Vier neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden

Cree erweitert sein Produktportfolio um vier 650-V-Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid. Mit…

Vishay

500-V-MOSFETs nach Gen-II-Super-Junction-Technologie

Vishay hat elf neue 500-V-MOSFETs der E-Serie sollen Anwendern helfen, Leistungs- und…

GaN Systems

Distributionsabkommen mit Ecomal Europe

Der Hersteller von Galliumnitrid-Leistungs-Transistoren GaN Systems hat ein…

STMicroelectronics

1200-V-SiC-MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen

STMicroelectronics erweitert sein Produktportfolio um einen 1200-V-SiC-MOSFET mit einem…

Transphorm und Fujitsu Semiconductor

Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern

Durch die Überführung in Fujitsus CMOS-kompatibler 150-mm-Wafer-Fab in Aizu-Wakamatsu…

Infineon Technologies

Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen

Seit 13. Januar 2015 ist International Rectifier (IR) Teil von Infineon, nachdem auch die…

Gartner Power-IC-Prognose 2015

GaN wird erst in fünf Jahren wirklich marktrevant

Dr. Stephan Ohr, Semiconductor Research Director bei Gartner Technology und Service…

Höchstfrequenz-Halbleiter:

GaN auf die Überholspur bringen

Die Vorteile von Galliumnitrid (GaN) als Wide-Bandgap-Halbleiter in HF- und…