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600-V-GaN-Transistor im TO-247-Gehäuse

17. März 2015, 09:40 Uhr   |  Ralf Higgelke

600-V-GaN-Transistor im TO-247-Gehäuse
© Transphorm

Der TPH3205WS verfügt über einen On-Widerstand von 63 mOhm, die maximale Strombelastbarkeit liegt bei 34 A.

Transphorm bietet ab sofort Entwicklungsmuster seines 600-V-Transistors »TPH3205WS« an, nach eigener Aussage der erste GaN-Transistor in einem TO-247-Gehäuse. Er eignet sich für Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallelgeschaltete Transistoren auskommen.

Mit dem TPH3205WS hat Transphorm sein Produktportfolio an »EZ-GaN«-Transistoren um einen Baustein erweitert, dessen On-Widerstand bei 63 mΩ und dessen maximale Strombelastbarkeit 34 A beträgt. Dabei nutzt er das »Quiet Tab«-Anschlusskonzept, das elektromagnetische Störungen bei hohen Anstiegsgeschwindigkeiten (du/dt) reduziert, um geringe Schaltverluste und einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb in Netzteil- und Wechselrichterschaltungen zu ermöglichen.

Entwicklungsmuster des TPH3205WS sind ab sofort ab Lager erhältlich. Die Produktionsfreigabe ist für Ende Juni 2015 geplant.

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