Leistungshalbleiter

© Fachzeitschrift Elektronik

Infineon Technologies

Weltmarkt-Führung bei Leistungshalbleitern ausgebaut

Zum zwölften Mal in Folge ist Infineon Weltmarktführer bei Leistungshalbleitern. Der Marktanteil von 19,2 Prozent ist mehr als die Summe von Infineon und International Rectifier vom letzten Jahr zusammen. Laut dem Marktforschungsinstituts IHS kommt…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

IGBT5-PrimePACK-Module für erhöhte Anforderungen

Höhere Stromdichten bei unverändertem Bauraum

Steigende Betriebstemperaturen und ein robustes Modulgehäuse bei gleichzeitig steigender…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Fraunhofer THM

Halbleiterforschung

Fraunhofer THM optimiert höchstdotierte Siliziumkristalle

Leistungselektronik auf Basis optimierter Halbleitermaterialien kann der Energieverbrauch…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Vishay

Vorübergehender Produktionsstopp nach Explosion in Tianjin

Nach dem schweren Explosionsunglück in der chinesischen Hafenstadt Tianjin vom 12. August…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© imec

Erweitertes Partnerschaftsprogramm

Das imec will die Grenzen von »GaN on Si« verschieben

Das Nanoelektronik-Forschungszentrum imec baut sein Forschungs- und Entwicklungsprogramm…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Componeers GmbH

II-VI Advanced Materials

SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser

II-VI Advanced Materials hat einen Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm Durchmesser…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo

Aus neuartigen Technologien sind einsetzbare…

Um SiC und GaN wächst ein leistungsstarkes Ökosystem

Lange Jahre verbanden Entwickler mit SiC und GaN die Attribute exotisch, teuer, nicht…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo

Intersil

Der steigenden Energiedichte zu Leibe rücken

Systemintegratoren stehen vor dem Problem, dass die Systeme ständig mehr Energie brauchen,…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© ROHM Semiconductor

Sperrspannungen von 650, 900 und 1200 V

SiC-MOSFETs nehmen Super-Junction-MOSFET-Anwendungen ins Visier

Mit 650- und 900-V-SiC-MOSFETs nähern sich Hersteller wie Rohm Semiconductor und Cree…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Hy Line Power

Hy-Line Power Components

GaN-Schalter von transphorm ab Lager lieferbar

Auf der PCIM 2015 hat transphorm GaN-HEMTs mit 600 V Sperrspannung im TO-247-Gehäuse…