Leistungshalbleiter

Erweitertes Partnerschaftsprogramm

Das imec will die Grenzen von »GaN on Si« verschieben

Das Nanoelektronik-Forschungszentrum imec baut sein Forschungs- und Entwicklungsprogramm für Galliumnitrid auf Silizium (GaN on Si) aus und bietet nun an, gemeinsam mit Industriepartnern Prozesstechnologien für selbstsperrende GaN-on-Si-Bauteile auf…

II-VI Advanced Materials

SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser

II-VI Advanced Materials hat einen Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm Durchmesser…

Aus neuartigen Technologien sind einsetzbare…

Um SiC und GaN wächst ein leistungsstarkes Ökosystem

Lange Jahre verbanden Entwickler mit SiC und GaN die Attribute exotisch, teuer, nicht…

Intersil

Der steigenden Energiedichte zu Leibe rücken

Systemintegratoren stehen vor dem Problem, dass die Systeme ständig mehr Energie brauchen,…

Sperrspannungen von 650, 900 und 1200 V

SiC-MOSFETs nehmen Super-Junction-MOSFET-Anwendungen ins Visier

Mit 650- und 900-V-SiC-MOSFETs nähern sich Hersteller wie Rohm Semiconductor und Cree…

Hy-Line Power Components

GaN-Schalter von transphorm ab Lager lieferbar

Auf der PCIM 2015 hat transphorm GaN-HEMTs mit 600 V Sperrspannung im TO-247-Gehäuse…

Power-Module

Hinsichtlich der Einfachheit nicht zu toppen

Power-Module zeichnen sich zunächst einmal durch eine sehr einfache Handhabung aus, denn…

Infineon Technologies

MOSFETs für hart schaltende Anwendungen

Infineon Technologies erweitert sein MOSFET-Portfolio durch OptiMOS 300 V. Die neue Reihe…

Diodes

MOSFETs erhöhen Leistungsdichte in Abwärtswandlern

Das komplementäre MOSFET-Paar DMC1028UFDB von Diodes trägt dazu bei, die Leistungsdichte…

Infineon Technologies

Volumenproduktion von MOSFETs auf 300-mm-Dünnwafern angelaufen

Infineon hat im österreichischen Villach mit der Volumenproduktion von…