Leistungshalbleiter

Power-Module

Hinsichtlich der Einfachheit nicht zu toppen

Power-Module zeichnen sich zunächst einmal durch eine sehr einfache Handhabung aus, denn alle Probleme auf Leiterplattenebene wurden bereits vom Halbleiterhersteller gelöst. Mittlerweile bieten diverse Hersteller Power-Module an, so dass der…

Infineon Technologies

MOSFETs für hart schaltende Anwendungen

Infineon Technologies erweitert sein MOSFET-Portfolio durch OptiMOS 300 V. Die neue Reihe…

Diodes

MOSFETs erhöhen Leistungsdichte in Abwärtswandlern

Das komplementäre MOSFET-Paar DMC1028UFDB von Diodes trägt dazu bei, die Leistungsdichte…

Infineon Technologies

Volumenproduktion von MOSFETs auf 300-mm-Dünnwafern angelaufen

Infineon hat im österreichischen Villach mit der Volumenproduktion von…

Börsengang

Cree wird Power- und HF-Bereich vom LED-Business abspalten

Cree hat einen Registrierungsantrag für den Börsengang des Power- und HF-Geschäfts…

Toshiba

Neues Gehäuse für Leistungs-MOSFETs verringert Schaltverluste

Ein neues TO-247-MOSFET-Gehäuse mit vier Anschlüssen für PFC-Applikationen in…

Infineon Technologies

»IGBT5« mit Aufbau- und Verbindungstechnik ».XT« vereint

Auf der PCIM 2015 präsentiert Infineon Leistungsmodule der »PrimePACK«-Serie, die von der…

Toshiba Electronics

4500-V-IEGT-Modul schafft 1200 A

Ein Leistungsmodul für Anwendungen in der Bahntechnik, in Industrie-Antriebssteuerungen,…

Infineons "The Answer" (Teil1)

Neuer Ansatz bei High-Power-IGBT-Modulen

Auf der PCIM 2014 skizzierte Infineon mit dem Plattformkonzept „The Answer“ einen neuen…

Schalter aus Galliumnitrid

Ist die Zeit reif für GaN?

Die Leistungswandlung muss effizienter, die Leistungsdichte größer, die…