Leistungshalbleiter

Börsengang

Cree wird Power- und HF-Bereich vom LED-Business abspalten

Cree hat einen Registrierungsantrag für den Börsengang des Power- und HF-Geschäfts gestellt. Dadurch sollen beide Geschäftsfelder jeweils schneller wachsen. Das neue Unternehmen soll auch einen neuen Namen erhalten.

Toshiba

Neues Gehäuse für Leistungs-MOSFETs verringert Schaltverluste

Ein neues TO-247-MOSFET-Gehäuse mit vier Anschlüssen für PFC-Applikationen in…

Infineon Technologies

»IGBT5« mit Aufbau- und Verbindungstechnik ».XT« vereint

Auf der PCIM 2015 präsentiert Infineon Leistungsmodule der »PrimePACK«-Serie, die von der…

Toshiba Electronics

4500-V-IEGT-Modul schafft 1200 A

Ein Leistungsmodul für Anwendungen in der Bahntechnik, in Industrie-Antriebssteuerungen,…

Infineons "The Answer" (Teil1)

Neuer Ansatz bei High-Power-IGBT-Modulen

Auf der PCIM 2014 skizzierte Infineon mit dem Plattformkonzept „The Answer“ einen neuen…

Schalter aus Galliumnitrid

Ist die Zeit reif für GaN?

Die Leistungswandlung muss effizienter, die Leistungsdichte größer, die…

Kommentar von Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz

Japan, du hast es besser

In Deutschland besteht ein Defizit an Kenntnis der Leitungselektronik in der…

Markt&Technik-Forum »Trends in der…

Chance für zweistellige Wachstumsraten im Jahr 2015

Mit der Chance auf vielleicht sogar zweistellige Zuwachsraten rechnen die Teilnehmer des…

SiC-MOSFETs und -Dioden

Die Auswahl wird größer

Dank seiner größeren Bandlücke hat Siliziumkarbid Vorteile gegenüber Silizium. Wegen des…

Interview mit Dr. Helmut Gassel

Infineons 300-mm-Dünnwafer-Projekt in Dresden läuft nach Plan

Ab 2016, so Dr. Helmut Gassel, Division President Industrial Power Control (IPC), werde…