Leistungshalbleiter

Energiesparende MOSFETs und IGBTS

Moderne Technologien für effiziente Halbleiter

Wide-Bandgap-Techniken wie Silizium-Carbid sorgen ebenso wie wie moderne IGBTs in »Trench Gate Field Stop«-Technik für möglichst geringe Verlustenergie. Mit der Kombination von Ansteuerschaltung und Leistungsstufe in einem Gehäuse lassen sich die…

Gehäuse für Leistungshalbleiter

TO-Leadless - Leistungsgehäuse für hohe Ströme

Erste Leistungshalbleiter-Gehäuse waren groß, schwierig zu verarbeiten und ihre Kühlung…

Alternative zu GaN und SiC

Wird Galliumoxid das nächste Material für Leistungshalbleiter?

Ein japanisches Konsortium möchte Galliumoxid als Material für Leistungshalbleiter bis…

»Mit der Capella-Akquisition haben wir Neuland…

Vishay investiert in den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Dr. Gerald Paul, CEO und President von Vishay, spricht im Interview über den erfolgreichen…

Dr. Reinhard Ploss im Interview

»Klarheit und Geschwindigkeit - das sind die Vorgaben!«

Infineon stellt zunehmend das Gesamtsystem in den Fokus, nicht mehr den einzelnen Chip.…

Chipgehäuse

Isolation spart Kosten

Netzteilherstellern ist in ihrem äußerst wettbewerbs-intensiven Markt jede Möglichkeit zur…

Schnell schaltende Bauelemente

Niederinduktiver Aufbau steigert Wirkungsgrad

Durch das stetige Streben nach größtmöglichem Systemwirkungsgrad bei möglichst geringen…

Bauteilsimulation

SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs von Cree

Um die Vorteile der SiC-Technologie auszuschöpfen, müssen Leistungswandler auf diese…

EMI-Störungen minimieren

So kommutieren Wechselrichter

Jedes Mal, wenn Leistungshalbleiter ein- oder ausschalten, erzeugen sie…

Halbbrücken-Durchflusswandler in ATX-Netzteilen

Die richtige Bauteil-Auswahl machts

Halbbrücken-Durchflusswandler gelten als sehr zuverlässig. Deswegen und aufgrund noch…