Leistungshalbleiter

Transphorm und Fujitsu Semiconductor

Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern

Durch die Überführung in Fujitsus CMOS-kompatibler 150-mm-Wafer-Fab in Aizu-Wakamatsu (Japan) möchte Transphorm die Lieferkette mit GaN-Leistungshalbleitern sicherstellen.

Infineon Technologies

Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen

Seit 13. Januar 2015 ist International Rectifier (IR) Teil von Infineon, nachdem auch die…

Gartner Power-IC-Prognose 2015

GaN wird erst in fünf Jahren wirklich marktrevant

Dr. Stephan Ohr, Semiconductor Research Director bei Gartner Technology und Service…

Höchstfrequenz-Halbleiter:

GaN auf die Überholspur bringen

Die Vorteile von Galliumnitrid (GaN) als Wide-Bandgap-Halbleiter in HF- und…

Energiesparende MOSFETs und IGBTS

Moderne Technologien für effiziente Halbleiter

Wide-Bandgap-Techniken wie Silizium-Carbid sorgen ebenso wie wie moderne IGBTs in »Trench…

Gehäuse für Leistungshalbleiter

TO-Leadless - Leistungsgehäuse für hohe Ströme

Erste Leistungshalbleiter-Gehäuse waren groß, schwierig zu verarbeiten und ihre Kühlung…

Alternative zu GaN und SiC

Wird Galliumoxid das nächste Material für Leistungshalbleiter?

Ein japanisches Konsortium möchte Galliumoxid als Material für Leistungshalbleiter bis…

»Mit der Capella-Akquisition haben wir Neuland…

Vishay investiert in den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Dr. Gerald Paul, CEO und President von Vishay, spricht im Interview über den erfolgreichen…

Dr. Reinhard Ploss im Interview

»Klarheit und Geschwindigkeit - das sind die Vorgaben!«

Infineon stellt zunehmend das Gesamtsystem in den Fokus, nicht mehr den einzelnen Chip.…

Chipgehäuse

Isolation spart Kosten

Netzteilherstellern ist in ihrem äußerst wettbewerbs-intensiven Markt jede Möglichkeit zur…