STMicroelectronics
1200-V-SiC-MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen
4. Februar 2015, 14:08 Uhr |
Andrea Gillhuber
STMicroelectronics erweitert sein Produktportfolio um einen 1200-V-SiC-MOSFET mit einem Einschaltwiderstand von 290 mΩ. Die max. Sperrschichttemperatur beträgt 200 °C.
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Laut STMicroelectronics ist der spezifische Einschaltwiderstand der neuen 1200-V-SiC-MOSFETs SCT20N120 besser als 290 mΩ. Untergebracht sind die Bausteine im proprietären HiP247-Gehäuse, welches einen Betrieb bei Temperaturen bis 200 °C zulässt. Das Gehäuse ist jedoch kompatibel zum Umriss des als Industriestandard etablierten Gehäuse TO-247.
STM gibt einen Preis von 8,50 Dollar ab 1000 Stück an.
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