Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs hat Infineon nun CoolSiC-Hybrid-IGBTs für 650 V Sperrspannung vorgestellt. Im Vergleich zu einer Standardlösung mit Silizium-Diode soll dies die Energieverluste…

Namensänderung

Gregg Lowe: »Aus Cree wird Wolfspeed«

Gregg Lowe, CEO von Cree, hat bekanntgegeben, dass das Unternehmen seinen…

Knowmade

Patentlandschaft bei Power-Modulen entwickelt sich dynamisch

Durch den Aufschwung bei Elektro- und Hybridautos (EV/HEV) ist die Zahl der…

Interview mit Agnes Jahnke, X-Fab

Siliziumkarbid aus der Foundry

Bei Galliumnitrid gibt es bereits ein gut funktionierendes Foundry-Geschäft, nicht aber…

Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit…

Halbleiterindustrie 2021

Wachstum während der COVID-19-Pandemie

Digitalisierung, Elektromobilität und Bandbreite haben während der Pandemie einen…

Energiemanagement für Rechenzentren

Leistungselektronik öffnet neue Horizonte

Rechenzentren boomen dank stetig steigender Datenvolumina. Die hohen Erwartungen an eine…

Rohm Semiconductor

SiC-Leistungshalbleiter mit Ökostrom herstellen

In seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo hat Rohm nun ein neues Gebäude…

Halbleiter-Relais mit 1A und 60V

Robustes SSR mit doppeltem Fehlerschutz

Littelfuse bringt mit dem Solid State Relais (SSR) CPC1561B das derzeit stromlos geöffnete…

Für kleinere Treiber in AC-Verbrauchern

Robuste 800 V- Triacs schaffen 150°C

Hohe Spannungen und hohe Temperaturen sind eigentlich keine Triac-Freunde. Die neuen 800 V…