Leistungshalbleiter

Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit ihrem Merged-PIN-Schottky-Design sollen die 650-V-Bauteile die Schaltverluste verringern und den Einfluss von Temperaturschwankungen reduzieren.

Halbleiterindustrie 2021

Wachstum während der COVID-19-Pandemie

Digitalisierung, Elektromobilität und Bandbreite haben während der Pandemie einen…

Energiemanagement für Rechenzentren

Leistungselektronik öffnet neue Horizonte

Rechenzentren boomen dank stetig steigender Datenvolumina. Die hohen Erwartungen an eine…

Rohm Semiconductor

SiC-Leistungshalbleiter mit Ökostrom herstellen

In seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo hat Rohm nun ein neues Gebäude…

Halbleiter-Relais mit 1A und 60V

Robustes SSR mit doppeltem Fehlerschutz

Littelfuse bringt mit dem Solid State Relais (SSR) CPC1561B das derzeit stromlos geöffnete…

Für kleinere Treiber in AC-Verbrauchern

Robuste 800 V- Triacs schaffen 150°C

Hohe Spannungen und hohe Temperaturen sind eigentlich keine Triac-Freunde. Die neuen 800 V…

Galliumnitrid-Halbleiter

Weniger Defekte in GaN-Kristallen

Üblicherweise werden GaN-Kristalle aus der Dampfphase per MOCVD abgeschieden. Doch die…

Halbleitermarkt 2021

Wachstum ist „unvermeidbar“

Stephan zur Verth, Vorsitzender der Fachgruppe Halbleiter-Bauelemente im ZVEI-Fachverband…

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15…

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese…