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Startseite > Halbleiter > Leistungshalbleiter > Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

14. Juli 2021, 10:53 Uhr | Ralf Higgelke
Leo Lorenz, ECPE, Siilicon Carbide, Gallium Nitride
© Componeers GmbH

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, in welchen Anwendungen diese die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden. Seine Antwort fällt vorsichtig aus.

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© elektroniknet
Am 30. Juni und 1. Juli 2021 fand das ECPE SiC & GaN User Forum statt. Es stand unter dem Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, den Chairman der ECPE, nach einigen Höhepunkten aus diesem Forum und in welchen Anwendungen SiC und GaN die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden.

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