Leistungshalbleiter

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für Siliziumkarbid bauen. Daran beteilige sich auch der Autozulieferer ZF mit einem Minderheitsanteil, berichtete das Handelsblatt.

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren...

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit...

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Unter dem Eindruck veränderter wirtschaftlicher Rahmenbedingungen rechnen die Analysten...

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

Resonac (ehemals Showa Denko K.K.) beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafer (SiC)....

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter...

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der...

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele doch...

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf...

Kooperation mit der Foundry Vanguard

EPC dehnt die GaN-Fertigung auf 200-mm-Wafer aus

Ab Anfang 2023 wird Vanguard International Semiconductor (VIS)...