TrendForce-Analyse zu Siliziumkarbid

E-Mobilität und Erneuerbare als Hauptmärkte

14. April 2023, 12:33 Uhr | Ralf Higgelke
TrendForce
© TrendForce

Etwa 80 Prozent des Umsatzes an Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern entfallen derzeit auf Siliziumkarbid. Laut TrendForce wächst dieser Markt aufgrund der steigenden Nachfrage bei Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien im Jahr 2023 um über 40 Prozent auf über 2,2 Mrd. US-Dollar.

Diesen Artikel anhören

Siliziumkarbid (SiC) eignet sich als Halbleitermaterial für Anwendungen, die hohe Spannungen und hohe Ströme erfordern. Daher dürfte es die Effizienz von Elektrofahrzeugen und Anlagen für regenerative Energien weiter verbessern. Der Umsatz für SiC-Leistungsbauelemente, die in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden, belief sich laut den Marktforschern von TrendForce im Jahr 2022 auf 1,09 Mrd. US-Dollar, was etwa 67,4 Prozent des Gesamtmarktes für SiC-Leistungsbauelemente entsprach. Für Anwendungen bei erneuerbaren Energien kamen im Jahr 2022 etwa 210 Mio. US-Dollar zusammen – rund 13,1 Prozent des Gesamtmarktes. Für das Jahr 2023 gehen die Marktforscher von einem Wachstum von 41,4 Prozent aus und einem Gesamtumsatz von 2,28 Mrd. US-Dollar (Bild 1).

Als Grund für dieses starke Wachstum nennt TrendForce die neu geschlossenen oder erweiterten Kooperationen mit Automobilherstellern bzw. Entwicklern von auf regenerativer Energie basierenden Produkten. So gingen onsemi und Volkswagen eine strategische Vereinbarung ein, wonach der Chiphersteller seine 1200-V-Leistungsmodule der EliteSiC-Familie für den Hauptantriebsumrichter bereitstellen wird. Auch Kia hat die EliteSiC-Serie für sein neuestes kompaktes Crossover-Elektrofahrzeug namens EV6 GT ausgewählt. Und Wolfspeed hat seine Partnerschaft mit Mercedes-Benz weiter ausgebaut. Beide Parteien vereinbarten, dass Wolfspeed SiC-Leistungsbauelemente für die von Mercedes-Benz entwickelten Elektrofahrzeuge liefern wird.

Im Bereich der erneuerbaren Energien kooperiert onsemi mit Ampt und liefert Leistungshalbleiter für Photovoltaik- und Energiespeichersysteme. Insbesondere wird Ampt SiC-MOSFETs von onsemi für seine DC-String-Optimierer einsetzen. Das taiwanesische Unternehmen Delta Electronics verwendet CoolSiC von Infineon für seine bidirektionalen Wechselrichter, die als hybrides Drei-in-eins-System für die Integration von Photovoltaik, Energiespeicherung und das Laden von Elektrofahrzeugen dienen können. Bloom Energy, ein US-amerikanischer Entwickler von Wasserstoff-Plattformen, hat sich ebenfalls für Produkte der CoolSiC-Serie entschieden, um die Effizienz seines Brennstoffzellensystems und seines Elektrolyseurs weiter zu verbessern.

Umstieg auf 200-mm-Wafer kommt voran

SiC-Substrate tragen bis zu 49 Prozent zu den Kosten eines SiC-Leistungsbauelements bei und bestimmen auch die Produktqualität. Derzeit hat Wolfspeed einen Marktanteil von mehr als 60 Prozent bei diesen Substraten. Infineon hat kürzlich einen langfristigen Liefervertrag mit Resonac (ehemals Showa Denko) geschlossen. Laut dieser Vereinbarung wird Resonac zunächst hauptsächlich SiC-Substrate mit 150 mm Durchmesser an Infineon liefern; später wird Resonac den Übergang von Infineon zu 200 mm unterstützen.

STMicroelectronics (ST) wiederum hat seine Zusammenarbeit mit Soitec erweitert. Künftig wird ST die SmartSiC-Technologie von Soitec zur Herstellung von SiC-Substraten mit 200 mm Durchmesser nutzen. Was den Ausbau der Produktionskapazitäten für SiC-Substrate angeht, so verfügt Wolfspeed derzeit über eine Anlage, die 200-mm-Substrate herstellt, und plant, eine weitere Waferfab für 200-mm-SiC-Wafer in Deutschland zu bauen. Als Mitinvestor der geplanten deutschen Fab wird sich die ZF Group mit Hunderten von Millionen US-Dollar beteiligen.

Derzeit widmen Halbleiterunternehmen in aller Welt dem Umstieg auf größere SiC-Substrate große Aufmerksamkeit. Wolfspeed ist der erste Anbieter, der Produktionskapazitäten für SiC-Substrate mit einer Größe von 200 mm aufgebaut hat. Andere Anbieter werden diesem Beispiel folgen und die Zusammenarbeit mit den Teilnehmern der vor- und nachgelagerten Branchen forcieren. TrendForce prognostiziert daher, dass der globale Markt für SiC-Leistungsbauelemente bis 2026 auf rund 5,33 Mrd. US-Dollar wachsen wird. Bis dahin dürften Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien die beiden größten Anwendungssegmente bleiben.

Der Umsatz für SiC-Leistungsbauelemente, die in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden, soll bis 2026 auf 3,98 Mrd. US-Dollar ansteigen, wobei die durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) für den Zeitraum bis 2026 bei rund 38 Prozent liegen soll. Für SiC-Leistungsbauelemente, die in Systemen für erneuerbare Energien eingesetzt werden, wird ein Anstieg des Marktwerts mit einer jährlichen Wachstumsrate von etwa 19 Prozent für den Zeitraum zwischen 2023 und 2026 auf 410 Mio. US-Dollar prognostiziert. 


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

LHL Forum 23

Uneinheitliche Versorgungssituation

»Alles rund um Energie-Transformation boomt«

LHL Forum

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hohe Dynamik bei SiC und GaN

Infineon Technologies

Mit CoolSiC zum modernen Elektroantrieb

Synergetische Kombination von drei Spitzentechnologien

onsemi

onsemi

Was Sie über den Einsatz von IGBTs wissen müssen

LHL Barometer

Nur langsame Entspannung

»SiC kennt keine Rezession!«

Wijburg Dr. Rutger

Megatrends als Bedarfstreiber

»Wir prüfen laufend einen Ausbau unserer Fertigungskapazitäten«

Hanebeck Jochen

Milliardeninvestition in Dresden

»Mehr Dampf auf den Kessel«!

Michael Kretschmer, Ursula von der Leyen, Jochen Hanebeck, Olaf Scholz und Dirk Hilbert,

Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

Infineon Technologies

Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Klaus Mellenthin/Mesago Messe Frankfurt

PCIM Europe 2023

Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik

Hy-Line Power Components

Hy-Line Power Components

Leistung bereitstellen, schalten und speichern

Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics

SiC-Cube

Der Umsatz der zehn größten IC-Hersteller ohne eigener Fab im dritten und vierten Quartal 2022.

Fabless IC-Hersteller

Umsatzeinbruch um fast 10 Prozent

SiC-Wafer von STMicroelectronics.

Siliziumkarbid-Halbleiter

ZF schließt langfristigen Vertrag mit STMicroelectronics

BLKstudio/stock.adobe.com

Einkäufer sehen leichte Entspannung

Versorgungslage bessert sich, Preise sinken nur vereinzelt

Im Linearbetrieb werden Leistungs-MOSFETs thermisch stark belastet. Neue Komponenten besitzen: optimierte Transistorzelle, spezielle Aufbau- und Verbindungstechnik, angepasste Gehäuse einen größeren sicheren Arbeitsbereich

Leistungs-MOSFETs im Linearbetrieb

Sicherer Arbeitsbereich ausgeweitet

Infineon Technologies, Peter Wawer

Infineon Technologies

Industrial division now called »Green Industrial Power«

Infineon Technologies, Peter Wawer

Infineon Technologies

Industrie-Sparte heißt jetzt »Green Industrial Power«

CleanWave2, Pre-Switch, Bruce Renouard

EV-Umrichter von Pre-Switch

98,5 Prozent Wirkungsgrad bei 5 Prozent Last

Anke Rehlinger, Olaf Scholz, Gregg Lowe, Robert Habeck

SiC-Fab von Wolfspeed im Saarland

Kampfansage an STMicroelectronics und Infineon

Infinitum, Aircore EC, Infineon, CoolCiC

SiC-MOSFETs für Luftkernmotoren

Infineon kooperiert mit Infinitum

Tesla, Silicon Carbide

Ankündigung von Tesla zu Siliziumkarbid

75 Prozent weniger SiC ist kein Drama

Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric

Neue Wafer-Fab für SiC-Leistungshalbleiter

Blick auf das Gelände des Stammwerks von Volkswagen in Wolfsburg.

Volkswagen

Investitionen in E-Antriebe und Digitales werden deutlich erhöht

Kooperationsvereinbarung zwischen onsemi und BMW.

Langfristige Zusammenarbeit

onsemi liefert SiC-Halbleiter für E-Autos von BMW

Infineon, GaN Systems, Jochen Hanebeck, Jim Witham

Konsolidierung bei Galliumnitrid

Infineon will GaN Systems für 830 Mio. Dollar übernehmen

Fab in Colorado Springs

Microchip Technology

Erweiterung der SiC und Si-Kapazitäten

Infineon Technologies, Dresden

Infineon Technologies

Startschuss für neue 300-mm-Fab in Dresden

PowerizeD

Intelligente Leistungselektronik

Infineon koordiniert europaweite Forschungsinitiative PowerizeD

White Adam

Interview mit Adam White, Infineon

»Wir wollen Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben«

WEKA Fachmedien, Gregg Lowe, Cree, Wolfspeed, PCIM 2018

Kommentar / Neue Waferfab von Wolfspeed

Verliebt ins Saarland

Anke Rehlinger, Olaf Scholz, Gregg Lowe, Robert Habeck

Wolfspeed und ZF

SiC-Waferfab für ca. 3 Mrd. Euro kommt ins Saarland

Das stillgelegte Kohlekraftwerk im saarländischen Ensdorf mit einer Animation der geplanten 200-Millimeter-Siliziumkarbid-Halbleiterfabrik.

Siliziumkarbid-Partnerschaft

ZF beteiligt sich an Wolfspeeds 200-mm-SiC-Waferfab

Ralf Higgelke, Gene Sheridan, Navitas, Florin Udrea, Cambridge GaN Devices, Gerald Deboy, Infineon, Denis Marcon, Innoscience

Neue Einsatzgebiete für Galliumnitrid

Raus aus der Consumer-Nische

Hochschule Bonn-Rhein-Sieg, Christian Dresbach, Cassandra Moers, WireLife, Wirebonding

IGBT- und MOSFET-Module

Mit dem digitalen Zwilling Bonddrähte langlebiger machen

Diamant

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

»Der Übernahmereigen des Jahres 2015 drückt auf die CAPEX-Investitionen, die wohl erst wieder 2018 anziehen werden.  Gleichzeitig besteht die Gefahr, dass die Firmen weniger Geld in Produkt- und Technologie- entwicklung investieren.«

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Jeremie Bouchaud

IHS Markit zu Automotive-ICs

Engpässe bleiben, aber 2023 wandelt sich der Markt

Glyn, Toshiba, Silicon Carbide, SiC

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

Elektrische Antriebe gelten als Energiefresser. Zwar können Umrichter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) eine Menge Energie einsparen, aber dabei ist einiges zu beachten. Eine neue integrierte GaN-Halbbrücke soll viele Herausforderungen lösen.

Galliumnitrid-Halbbrücke

Umrichter in Antriebe integrieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter ein wesentliches Grundelement. Dafür brauchen Leistungshalbleiter jeweils angepasste Gate-Treiber. Worauf ist zu achten?

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Toshiba, SiC, Silicon Carbide, SiliconCarbide

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode