Leistungshalbleiter

Wolfspeed und ZF

SiC-Waferfab für ca. 3 Mrd. Euro kommt ins Saarland

Die weltweit größte Fab für SiC-Halbleiter wird im Saarland gebaut. Dies haben Wolfspeed und deren Partner ZF im Beisein von Bundeskanzler Scholz und Ministerpräsidentin Rehlinger verkündet. Mit ausschlaggebend waren laut CEO Gregg Lowe die vielen…

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die…

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für…

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit an…

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Unter dem Eindruck veränderter wirtschaftlicher Rahmenbedingungen rechnen die Analysten…

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

Resonac (ehemals Showa Denko K.K.) beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafer (SiC). Nun…

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter ein…

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der…

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele doch…