Leistungshalbleiter

Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt. Diese These vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und…

Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Erhöhte Reichweiten sind entscheidend für den Markterfolg von Elektrofahrzeugen. Parallel…

Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

Für 5 Milliarden Euro baut Infineon Technologies am Standort Dresden eine Smart Fab, die…

PCIM Europe 2023

Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik

Mit einer Rekordausstellungsfläche von über 30.000 m2 und über 500 Ausstellern wartet die…

Asahi Kasei Microdevices

Ultraschnelle Stromsensortechnologie

Highlight auf dem Messe-Stand von Asahi Kasei Microdevices (AKM) ist eine neu entwickelte…

Hy-Line Power Components

Leistung bereitstellen, schalten und speichern

Zu den Kernprodukten des Standes von Hy-Line Power Components auf dem Nürnberger…

Toshiba Electronics

SiC-Cube

Toshiba Electronics Europe stellt auf der Messe unter anderem den SiC-Cube vor, der mit…

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

Kapazitäten von Si auf SiC umgewidmet

Dr. Peter Wawer leitet seit Juli 2016 die Infineon-Division »Industrial Power Control«,…

Leistungs-MOSFETs im Linearbetrieb

Sicherer Arbeitsbereich ausgeweitet

Im Linearbetrieb werden Leistungs-MOSFETs thermisch stark belastet. Neue Komponenten…

TrendForce-Analyse zu Siliziumkarbid

E-Mobilität und Erneuerbare als Hauptmärkte

Etwa 80 Prozent des Umsatzes an Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern entfallen derzeit auf…