Leistungshalbleiter

Hanebeck Jochen
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Milliardeninvestition in Dresden

»Mehr Dampf auf den Kessel«!

Noch in diesem Jahr starten die Arbeiten für die neue 300-mm-Fab von Infineon in Dresden. Rund 5 Milliarden Euro investiert Infineon in den Ausbau des Fertigungsstandortes Dresden und erwartet, dass die zusätzlichen Kapazitäten ab 2026 weiteren Umsatz in vergleichbarer Höhe generieren werden.

Markt&Technik
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SiC-MOSFET-Fertigungskapazitäten

»Jeder Neueinsteiger wird begrüßt - selbst vom Wettbewerb«

Trotz der Milliarden-Investitionen in SiC-Fertigungskapazitäten haben Industrie-Insider...

Markt&Technik
Schmuckbild, das eine Umsatzsteigerung zeigt
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ROHM

Auch im Geschäftsjahr 2022 einen Umsatzrekord erzielt

ROHM hat die Zahlen für 2022 bekannt gegeben und konnte mit einem Nettoumsatz von 507,8...

Markt&Technik
Die Effizienzvorschriften für Schweißgeräte sind stetig verschärft worden. Um diese einzuhalten, bieten sich diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs in Verbindung mit einer unkonventionellen Lösung für Montage und Kühlung an
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Leistungshalbleiter

Energieeffizienter schweißen

In den vergangenen Jahren sind auch die Effizienzvorschriften für Schweißgeräte stetig...

Elektronik
Der Bereich der Elektroautos und erneuerbaren Energien stellt sehr hohe Anforderungen an die Leistungshalbleiter. Mit Bauteilen aus Siliziumkarbid (SiC) lassen sich diese lösen
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Erfolg von SiC sichern

Technische Herausforderungen und Lieferketten

Der Bereich der Elektroautos und erneuerbaren Energien stellt sehr hohe Anforderungen...

Elektronik
Im Moment explodieren die Bedarfe bei Siliziumkarbid – getrieben besonders von der Elektromobilität. Allerdings ist die Herstellung solcher Wafer sehr herausfordernd und energieintensiv
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Leistungshalbleiter

So entsteht ein SiC-Wafer

Im Moment explodieren die Bedarfe bei Siliziumkarbid – getrieben besonders von der...

Elektronik
650V GaN (Galliumnitrid) HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z
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ROHM

Serienfertigung von 650-V-GaN-HEMTs angelaufen

ROHM hat mit der Serienfertigung der 650V GaN (Galliumnitrid) HEMTs »GNP1070TC-Z« und...

Markt&Technik
Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt - vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und Analysten nach
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Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des...

Elektronik
Infineon Technologies
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Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Erhöhte Reichweiten sind entscheidend für den Markterfolg von Elektrofahrzeugen....

Markt&Technik
Michael Kretschmer, Ursula von der Leyen, Jochen Hanebeck, Olaf Scholz und Dirk Hilbert,
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Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

Für 5 Milliarden Euro baut Infineon Technologies am Standort Dresden eine Smart Fab,...

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