Leistungshalbleiter

Galliumnitrid-Transistoren

EPC präsentiert sechste eGaN-Generation

Fünfmal kleiner als ein äquivalenter Silizium-MOSFET und doppelt so leistungsfähig wie die Vorgängergeneration an eGaN-Bausteinen ist die neue sechste Bauteilgeneration, die Efficient Power Conversion (EPC) vorgestellt hat. Wir fragten bei CEO Alex Lidow im Video nach.

Supermicro kooperiert mit Infineon

Hocheffiziente Leistungsstufen machen Rechenzentren »grün«

Videostreaming, virtuelle Konferenzen, Cloud-Dienste und Kryptowährungen führen dazu,...

Lage auf dem Leistungshalbleitermarkt

Noch keine Entspannung der Versorgungsprobleme in Sicht

Auch wenn sich in Asien die Bedarfe der Konsumgüter-Industrie abschwächen: Auf die...

Erste Erfolge im EU-Projekt YESvGaN

Vertikale GaN-Transistoren zu Kosten von Silizium

Laterale GaN-auf-Silizium-HEMTs sind mittlerweile breit am Markt verfügbar. Vertikale...

Advertorial

Swissbit auf der electronica 2022

Nach vier Jahren kehrt Swissbit vom 15. bis 18. November auf die electronica in München...

Wachstum bei Monolithic Power Systems

Erfolg durch Diversifizierung

Fundiertes Wissen auf Systemebene, hohe Kompetenz im Halbleiterdesign und innovative,...

Markt&Technik-RT Leistungshalbleiter

Von der Allokation zum Soft Landing

Niemand zweifelt mehr an einer bevorstehenden weltweite Rezession. Aber bei den...

Vergleich verschiedener PFC-Topologien

Bringt Totem Pole wirklich was?

Durch die Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN lässt sich nun auch die...

Mittlerer und unterer Leistungsbereich

Bessere QR/FF-Sperrwandler sind machbar

LED-Treiber, Ladegeräte und andere Anwendungen auf Basis von Sperrwandlern brauchen...

Hochintegrierte Motorantriebs-ICs

Mit integrierter Systemfehlerdiagnose

Power Integrations bringt mit der BridgeSwitch-Produktlinie Motorantriebs-ICs auf den...