Leistungshalbleiter

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) auf den Markt gebracht. Doch halten diese Bauelemente, was der Hersteller verspricht? PGC Consultancy und TechInsights haben sich das genauer angesehen.

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Navitas hat nun GaN-Halbbrücken-ICs vorgestellt, die Schaltfrequenzen im MHz-Bereich…

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den…

Wolfspeed verzehnfacht Kapazität

Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik

Für mehrere Milliarden US-Dollar wird Wolfspeed in North Carolina eine neue Materialfabrik…

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

Mit II-VI hat Infineon einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Damit…

25 Jahre SiCrystal in Nürnberg

60 Prozent Wachstum pro Jahr als Herausforderung

Das Geschäft von SiCrystal, Nürnberger Hersteller von SiC-Wafern, boomt. Wie das zu Rohm…