Leistungshalbleiter

Alfred Hesener, Navitas Semiconductor

»Unsere GaN-Halbbrücken können mehr«

Navitas hat nun GaN-Halbbrücken-ICs vorgestellt, die Schaltfrequenzen im MHz-Bereich erreichen können. Wir fragten Alfred Hesener, Senior Director Industrial Applications, über die Eigenschaften dieser neuen Bausteine sowie die kürzlich…

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs…

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den…

Wolfspeed verzehnfacht Kapazität

Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik

Für mehrere Milliarden US-Dollar wird Wolfspeed in North Carolina eine neue Materialfabrik…

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

Mit II-VI hat Infineon einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Damit…

25 Jahre SiCrystal in Nürnberg

60 Prozent Wachstum pro Jahr als Herausforderung

Das Geschäft von SiCrystal, Nürnberger Hersteller von SiC-Wafern, boomt. Wie das zu Rohm…

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Um 20 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration hat Toshiba die Schalt- und…

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache

Mit einer neuen Materialfertigung in Hudson, New Hampshire, hat onsemi die Kapazität für…

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Mit der Übernahme des SiC-Pioniers GeneSiC will sich Navitas hin zu höheren Leistungen…

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Aktuell verfügbare GaN-Technologien haben ihre Schwachstellen. Diese werden im folgenden…