Leistungshalbleiter

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit an Juweliere verkauft haben – nicht gerade im Sinne der Regierung, Siliziumkarbid als Halbleitermaterial zu fördern. Nun zieht Peking die Zügel an.

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Unter dem Eindruck veränderter wirtschaftlicher Rahmenbedingungen rechnen die Analysten...

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

Resonac (ehemals Showa Denko K.K.) beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafer (SiC)....

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter...

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der...

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele doch...

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf...

Kooperation mit der Foundry Vanguard

EPC dehnt die GaN-Fertigung auf 200-mm-Wafer aus

Ab Anfang 2023 wird Vanguard International Semiconductor (VIS)...

Galliumnitrid auf keramischem Substrat

Vanguard startet Massenfertigung von GaN-on-QST

Üblicherweise nutzt man Silizium-Wafer als Substrat für GaN-Transistoren. Doch nun hat...

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Da Wafer-Substrate noch länger der Engpass bei Siliziumkarbid bleiben, gibt es...