Mitsubishi Electric
Neue Wafer-Fab für SiC-Leistungshalbleiter
Ihren bisherigen 5-Jahres-Investitionsplan hat Mitsubishi Electric nun auf umgerechnet rund 1,8 Mrd. Euro verdoppelt. Dazu gehört auch eine neue Chipfabrik für 200-mm-SiC-Wafer, um die die steigende Nachfrage zu decken.
Mitsubishi Electric hat angekündigt, seinen bereits angekündigten Investitionsplan für den Zeitraum von fünf Jahren bis März 2026 auf rund 260 Mrd. Yen (1,8 Mrd. Euro) zu verdoppeln. Ein großer Teil der erhöhten Investitionen, etwa 100 Mrd. Yen (690 Mio. Euro), wird für den Bau einer neuen 8-Zoll-SiC-Wafer-Fab und die Erweiterung der zugehörigen Produktionsanlagen verwendet. Das neue Werk, zu dem eine bereits bestehende Anlage in der Region Shisui in der Präfektur Kumamoto gehört, wird SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser (8 Zoll) prozessieren und einen Reinraum umfassen, der sich laut Mitsubishi durch höchste Energieeffizienz und einen hohen Automatisierungsgrad in der Produktion auszeichnet. Darüber hinaus wird das Unternehmen seine Produktionsanlagen für 6-Zoll-SiC-Wafer ausbauen.
Darüber hinaus wird Mitsubishi Electric rund 10 Mrd. Yen (69 Mio. Euro) in eine neue Fertigungsstätte für die Montage und Prüfung von Leistungshalbleitern investieren, wodurch die in der Region Fukuoka verstreuten Betriebe zusammengezogen werden sollen. Die Integration von Design, Entwicklung und Prüfung der Fertigungstechnik soll die Entwicklungskapazitäten des Unternehmens erheblich verbessern und eine zeitnahe Massenproduktion als Reaktion auf die Marktnachfrage ermöglichen. Die verbleibenden 20 Mrd. Yen (140 Mio. Euro), allesamt Neuinvestitionen, sind für die Erweiterung der Anlagen, für Umweltschutzmaßnahmen und damit verbundene Tätigkeiten bestimmt.