Leistungshalbleiter

© Silvano Rebai/stock.adobe.com

Halbleitertechnologie

Dekarbonisierung und Digitalisierung als Wachstumstreiber

Die Mikroelektronik hat unsere Welt revolutioniert und dabei enorme Fortschritte für unsere Gesellschaft bewirkt. Auch für die Bewältigung der vor uns stehenden Herausforderungen spielt die Mikroelektronik eine entscheidende Rolle.

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© WEKA

Vom MOSFET-Erfinder zum GaN-Pionier

Die zwei Leben des Alex Lidow

Was Alex Lidow im Bereich Leistungshalbleiter erreicht hat, genügt für zwei Leben. Er hat…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Dr. Leo Lorenz | Componeers GmbH

Prof. Leo Lorenz im Interview

Faszination Leistungselektronik

Seit Ende der 1970er-Jahre hat Leo Lorenz maßgeblich am MOSFET, am IGBT, am CoolMOS und an…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© STMicroelectronics

STMicroelectronics

Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania

Um seine Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Beschaffung mit SiC-Roh- und…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© Markt&Technik

Prof. Leo Lorenz, ECPE

»China wird das eigene Ziel nicht erreichen«

Bis 2035 will China 35 Prozent aller Halbleiter selbst entwickeln, fertigen und weltweit…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© onsemi

Siliziumkarbid

onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache

Erst vor ein paar Wochen hatte onsemi seine Produktion von SiC-Boules in Hudson, New…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/MarktTechnik.svg Logo
© TechInsights

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC)…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Fraunhofer IISB

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo
© Componeers GmbH, onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials…

/fileadmin/sitedesign/Resources/Public/Svg/Brands/Elektronik.svg Logo