Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

Resonac (ehemals Showa Denko K.K.) beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafer (SiC). Nun haben beide Unternehmen ihren Liefer- und Kooperationsvertrag aus dem Jahr 2021 ergänzt und erweitert. Infineon wiederum stellt Resonac Expertise im Bereich der Materialtechnologien zur Verfügung.

Gate-Treiber für Leistungshalbleiter

Wirkungsgrad maximieren

Um die Energie- und Mobilitätswende zu schaffen, sind effiziente Leistungshalbleiter...

Forschungserfolg von Toshiba

SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode

Durch die bipolare Leitung in der Body-Diode im Sperrbetrieb verschlechtert sich der...

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele doch...

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Unter dem Eindruck der Fokussierung der SiC-Leistungshalbleiterhersteller auf...

Kooperation mit der Foundry Vanguard

EPC dehnt die GaN-Fertigung auf 200-mm-Wafer aus

Ab Anfang 2023 wird Vanguard International Semiconductor (VIS)...

Galliumnitrid auf keramischem Substrat

Vanguard startet Massenfertigung von GaN-on-QST

Üblicherweise nutzt man Silizium-Wafer als Substrat für GaN-Transistoren. Doch nun hat...

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Da Wafer-Substrate noch länger der Engpass bei Siliziumkarbid bleiben, gibt es...

electronica 2022 - Podiumsdiskussion

Galliumnitrid für industrielle und automobile Anwendungen

Galliumnitrid wird in Millionen-Stückzahlen in Ladegeräten für unsere mobilen Geräte...

Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum...