Produkt

Forschung und Lehre

© Raytheon

IEDM 2013

Integration von III-V und Si ist einen Schritt weiter

Bereits seit vielen Jahren wird daran gearbeitet, III-V-Verbindungshalbleiter und Silizium zu integrieren. Raytheon hat im Rahmen diverser DARPA-/DAHI-Forschungsprogramme (Cosmos, E-PHI, DAHI Foundry) jetzt erstmals III-V-Verbundhalbleiter auf…

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© TU Wien

Datenbasierte Black-Box-Modelle

Wie viel »Saft« steckt noch in der Batterie?

Den Ladezustand von Batterien anzugeben, ist schwierig - besonders wenn es in Echtzeit im…

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© Stelzer

IEDM 2013

Mit heterogener 3D-Integration zum „Superchip“

Die Skalierung von Halbleiterprozessen, auch „More Moore“ genannt, wird immer schwieriger.…

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© Stelzer

IEDM 2013

FinFET-Monopol gebrochen – FinFETs für alle

Schon lange diskutiert die Halbleiterindustrie über FinFETs, jetzt sind sie in der…

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© Global 450mm Consortium

IEDM 2013

450 mm soll es richten

Nachdem es aufgrund der steigenden Prozesskomplexität immer schwieriger wird, die bislang…

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© Stelzer

IEDM 2013

Bei 7 nm wird's zu teuer

Mobiltelefone haben die PCs bereits vor Jahren in puncto Stückzahlen überholt. Mit dem…

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© Stelzer

IEDM 2013

Zaubermaterial Graphen entzaubert

Wer sich beim Titel des ersten Plenarvortrags auf der IEDM 2013 in Washington DC einen…

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© Alexander Colsmann

Forschungsprojekt POPUP

16 Millionen Euro für die Organische Photovoltaik

Mit »POPUP« startet ein 16 Millionen Euro schweres Forschungsprojekt, das der organischen…

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© KIT

KIT forscht an neuen organischen PV-Zellen

POPUP fördert organische Photovoltaik

Effizientere Materialien und neue Architekturen für die organische Photovoltaik zu…

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© Forschungszentrum Jülich

Leibniz-Preis für Flash-Speicher-Alternative

ReRAMs: Energieeffiziente Bausteine für neuronale Netze

Redox-basierte resistive Speicher – kurz ReRAMs – sind nicht nur schneller und…

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