IEDM 2013
Integration von III-V und Si ist einen Schritt weiter
Bereits seit vielen Jahren wird daran gearbeitet, III-V-Verbindungshalbleiter und Silizium zu integrieren. Raytheon hat im Rahmen diverser DARPA-/DAHI-Forschungsprogramme (Cosmos, E-PHI, DAHI Foundry) jetzt erstmals III-V-Verbundhalbleiter auf…