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PCIM Europe 2015

Rohm zeigt 3. Generation seiner SiC-MOSFETs

10. April 2015, 10:31 Uhr | Andrea Gillhuber

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Neue Leistungshalbleiter

Für energieeffiziente Antriebs- und Wechselrichter-Anwendungen stellt Rohm eine neue IGBT-IPM-Familie (Intelligent Power Module) vor. Mehrere Bauelemente wie etwa Gatetreiber, Bootstrap-Dioden, IGBTs oder Leistungs-MOSFETs (PrestoMOS) sind hier zusammen mit Freilaufdioden und mehreren Schutzfunktionen in einem HSDIP25-Gehäuse kombiniert. Da diese Produkte für unterschiedliche Anwendungen konzipiert sind, bietet das Unternehmen auch optimierte Versionen für niedrige bzw. hohe Schaltfrequenzen an. Neben den genannten Schutzfunktionen integrierte Rohm auch ein Fehlersignal-Ausgang. Die gesamte Palette besteht aus 600-V-IGBT-IPMs für 10 A, 15 A, 20 A und 30 A.

Außerdem stellt Rohm auf der PCIM 2015 die dritte Generation seiner SiC-Trench-MOSFETs vor. Die Leistungshalbleiter auf Basis einer Trench-Gate-Struktur gibt es mit 1200 V und 600 V Sperrspannung; an 1700-V-Bausteinen wird noch gearbeitet. Verglichen mit konventionellen planaren MOSFETs weisen Trench-MOSFETs über den gesamten Temperaturbereich einen ungefähr halb so großen Einschaltwiderstand auf, während die Stabilität der Gate-Oxidschicht und der Body-Diode auf dem gleichen Niveau bleibt wie bei den SiC-MOSFETs der zweiten Generation. Das Sperrverzögerungs-Verhalten wurde weitgehend reduziert. Als Zielanwendungen nennt das Unternehmen Schaltnetzteile, Wechselrichter und Umrichter im Bereich der Erneuerbaren Energien sowie für Wechselrichter und Ladegeräte in Elektro- und Hybrid-Fahrzeugen.

Rohm Semiconductor
PCIM 2015: Halle 9, Stand 316