Weltklimaneutralität, das wir in Zukunft vor allem bedeuten, dass wir die Energie, die wir so effizient und nachhaltig wie möglich hergestellt haben, auch so effizient übertragen und nutzen, wie nur irgend möglich. Da der Energiebedarf in Zukunft noch wachsen dürfte, eine Herkulesaufgabe.
Im Umfeld des Weltklimagipfels prallten letzte Woche wieder einmal zwei grundsätzlich unterschiedliche Arten, die Welt zu sehen, aufeinander. Dort die Umweltaktivistin Greta Thunberg, die nicht glaubt, dass die Menschheit mit ihren aktuellen technischen Möglichkeiten in der Lage ist, umzusteuern und das Ziel der Erderwärmung um nur 1,5 Grad Celsius zu erreichen.
Auf der anderen Seite stehen Menschen wie der diesjährige deutsche Physiknobelpreisträger Klaus Hasselmann. Er ist überzeugt, dass unser menschlicher Verstand und unsere Neugier Forschung, Entwicklung und Innovation weiter vorantreiben. Dass es uns gelingt, das Ziel einer niedrigeren Erderwärmung zu erreichen. Den Weg dorthin wird die Mikroelektronik weisen. Entscheidend wird sein, dieses Ziel geschwind und mit aller Konsequenz anzustreben. Gelingt das nicht, wird unsere Lebensrealität wohl schon in naher Zukunft deutlich anders aussehen.
Strom ist unsere flexibelste Energieform. Er lässt sich leicht umwandeln und ist deshalb in allen Bereichen einsetzbar. Bei jeder Umwandlung von Energie, sei es nun Solar- oder Windkraft, geht ein Teil als Wärme verloren. Das gilt für die Stromerzeugung wie für die Stromnutzung. Deshalb ist es so wichtig, die Effizienz über alle Bereiche von der Stromerzeugung über den Stromtransport bis zum Stromverbrauch zu steigern. Dabei geht es um jeden Prozentpunkt, der zusätzlich erreichbar ist. Für die Klimaneutralität zählt in dieser Hinsicht jeder Effizienzgewinn doppelt. Jede Megawattstunde, die nicht erzeugt werden muss, ist ein unwiderlegbarer Beweis dafür, dass die Menschheit in der Lage ist, ihre Probleme aus sich selbst heraus zu lösen.
Eine entscheidende Rolle bei der Erreichung dieses Ziels kommt neuen Leistungshalbleitermaterialien wie SiC und GaN zu. Sie erlauben einen Effizienzsprung um bis zu 50 Prozent! Mit ihnen werden höhere Ströme als mit klassischen Silizium-Leistungshalbleiter möglich, sie verringern die Wärmeverluste und ermöglichen schnelleres Schalten. Zudem kommen die kompakteren, leichteren Designs mit weniger passiven Bauelementen in Form von Kondensatoren oder Induktivitäten aus. Die Lösungen unserer Probleme liegen damit in unseren Händen, wir müssen sie nur noch konsequent umsetzen!