Amerika und Japan liegen vorne
Weltweit 18 neue Fabs in diesem Jahr
Weltweit werden in diesem Jahr laut den Zahlen der SEMI 18 neue 300-mm- und 3 neue 200-mm-Fabs gebaut. Die meisten werden voraussichtlich zwischen 2026 und 2027 in Betrieb gehen.
Jeweils vier neue Fabs werden in den USA und in Japan gebaut. In Europa und China sollen jeweils drei neue Fabs errichtet werden. In Taiwan sind für 2025 zwei Projekte geplant, in Korea und Südostasien jeweils eins.
»Die Halbleiterindustrie ist an einem entscheidenden Punkt angelangt, an dem Investitionen sowohl in Spitzen- als auch in Mainstream-Technologien getätigt werden, um die sich entwickelnden globalen Anforderungen zu erfüllen«, sagt Ajit Manocha, Präsident und CEO von SEMI. »Generative KI und High-Performance-Computing treiben den Fortschritt in den führenden Logik- und Speichersegmenten voran, während Mainstream-Knoten weiterhin wichtige Anwendungen in den Bereichen Automotive, IoT und Leistungselektronik unterstützen. Der Bau von 18 neuen Halbleiterfabriken, mit dem 2025 begonnen werden soll, zeigt die Innovatio»nsfreude der Branche, die zu erheblichem Wirtschaftswachstum führt.«
Insgesamt ist der »Ausgabe 4Q des World Fab Forecast 2024« für den Zeitraum 2023 bis 2025 zu entnehmen, dass die weltweite Halbleiterindustrie die Inbetriebnahme von 97 neuen Großserien-Fabs plant. Dazu gehören 48 Projekte im Jahr 2024 und 32 Projekte, die im Jahr 2025 in Betrieb gehen sollen, mit Wafer-Durchmessern zwischen 300 mm und 50 mm.
Die High-End-Kapazitäten wachsen am schnellsten
Der Aufbau neuer Halbleiterkapazitäten wird sich voraussichtlich weiter beschleunigen. Mit einer durchschnittlichen Wachstumsrate von 6,6 Prozent pro Jahr werden insgesamt 33,6 Millionen Wafer pro Monat (WPM) im Jahr 2025 erreicht. Diese Expansion wird in erster Linie durch modernste Logiktechnologien für High-Performance-Computing (HPC)-Anwendungen und die zunehmende Verbreitung von generativer KI in Edge-Geräten vorangetrieben.
Die Chiphersteller bauen ihre Kapazitäten für fortgeschrittene Knoten (7 nm und darunter) aggressiv aus. Voraussichtlich wird das Kapazitätswachstum eine jährliche Rate von 16 Prozent erreichen, was einen Anstieg von mehr als 300.000 WPM auf insgesamt 2,2 Millionen WPM im Jahr 2025 bedeutet.
Wegen Chinas Chip-Autarkiestrategie und der voraussichtlichen Nachfrage aus den Automobil- und IoT-Sektoren prognostiziert die SEMI für die Mainstream-Knoten (8 nm bis 45nm) ein weiterer Kapazitätszuwachs von 6 Prozent, so dass 2025 die Schwelle von 15 Millionen WPM überschritten wird.
Reife Technologieknoten (50 nm und darüber) erfahren eine mäßige Expansion, was die langsame Erholung des Marktes und die geringe Auslastung widerspiegelt. Es wird erwartet, dass dieses Segment um 5 Prozent wächst und im Jahr 2025 14 Millionen Wpm erreicht.
Foundry-Segment legt weiter zu
Dem Foundry-Segment prognostiziert die SEMI einen Kapazitätsanstieg von 10,9 Prozent, der von 11,3 Mio. wpm im Jahr 2024 auf einen Rekordwert von 12,6 Mio. WPM im Jahr 2025 ansteigen wird.
Verschiebungen im Speicher-Sektor
Das gesamte Speichersegment zeigt eine maßvolle Kapazitätserweiterung mit einem bescheidenen Wachstum von 3,5 Prozent im Jahr 2024 und 2,9 Prozent im Jahr 2025. Die starke Nachfrage nach generativer KI führt jedoch zu erheblichen Veränderungen in den Speicher-IC-Markt. High-Bandwidth-Memory (HBM) erlebt einen rasanten Aufschwung, der zu unterschiedlichen Trends beim Kapazitätswachstum zwischen den Segmenten DRAM und NAND-Flash führt.
Die SEMI erwartet, dass das DRAM-Segment ein robustes Wachstum beibehalten wird, mit einem prognostizierten Anstieg von etwa 7 Prozent gegenüber dem Vorjahr auf 4,5 Millionen WPM im Jahr 2025. Umgekehrt wird die installierte Kapazität für 3D-NAND voraussichtlich um 5 Prozent wachsen und im gleichen Zeitraum 3,7 Millionen WPM erreichen.
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