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Everspin und Globalfoundries

MRAMs für den Mainstream

18. Januar 2018, 08:32 Uhr   |  Heinz Arnold

MRAMs für den Mainstream
© Everspin

Die STT-MRAM-Zellen sind deutlich kleiner und skalierbarer als die Zellen der herkömmlichen MRAMs

Einen Meilenstein hat Everspin erreicht: Jetzt fährt der Hersteller von MRAMs die Fertigung der 256-MBit-STT-MRAM-Typen bei Globalfoundries hoch.

Seit dem vierten Quartal 2017 generiert Everspin mit 256-MBit-MRAMs (Magneto Resisitve RAM) Umsatz und wird in diesem Jahr in die Stückzahlfertigung gehen. Das werde laut Kevin Conley, President and CEO von Everspin Technologies, den Durchbruch bringen. Die Fertigung übernimmt Foundry-Partner Globalfoundries. Everspin ist nach seinen Worten das erste Unternehmen, das die STT-MRAMs in Stückzahlen fertigen kann und das sowohl reine MRAM-Speicher-ICs als auch  embedded-MRAMs (eMRAMs) anbieten kann.

»Wir bringen die ersten 256-MBit-pMTJ-STT-MRAMs auf den Markt«, so Kevin Conley. Mit dieser Speicherkapazität stünden dem Unternehmen nun neue Märkte offen. Ausgestattet mit einem DDR3-Interface erreichten sie eine Performance, die den früheren MRAM-Typen nicht möglich gewesen wäre.

Die STT-MRAMs (Spin-Torque-Transfer-Technik) fertigt Globalfoundries in einem 40-nm-Prozess. Sie basieren auf dem von Everspin entwickelten »perpendicular Magnetic Tunnel Junction Process« (pMTJ). Diese Technik bringt nach Ansicht von Kevin Conley der MRAM-Technik die entscheidenden Vorteile, um mit den auf dem Markt etablierten nichtflüchtigen Speichertechniken wie FRAMs in ernsthaften Wettbewerb treten zu können. Das Unternehmen wolle mit den STT-Typen aber auch DRAMs und SRAMs Konkurrenz machen.

Das Interessante an dieser Technik: Sie ist skalierbar, so dass demnächst weitere Typen mit noch höherer Speicherkapazität folgen werden und damit bessere Alternativen zur bestehenden Techniken bieten. MRAMs eigenen sich überall dort, wo es darauf ankommt,  dass Daten keinesfalls verloren gehen dürfen, etwa in Navigationssystemen und in Steuersystemen für Flugzeuge und Satelliten, wo die Folgen solcher Datenverluste katastrophal sein könnten.

»Wir freuen uns, dass die ersten MRAMs aus unserer Partnerschaft jetzt in die Produktion kommen. Das ist auch ein Meilenstein auf dem Weg zur Fertigung von eMRAMs im 22FDX-Prozess«, erklärt Dave Egglestone, Vice President Embedded Memory von Globalfoundries. Mit 22FDX bezeichnet Globalfondries den 22-nm-FD-SOI-Prozess. Die Roadmap von Globalfoundriers erstreckt sich sowohl auf 12-nm-Typen, die GlobalFoundries im FD-SOI-Prozess fertigt, als auch auf Typen auf Basis des 14-nm-FinFET-Prozesses. Dabei fertigt GlobalFoundres die Stand-alone-Typen für Everspin, den Embedded-MRAM-Prozess lizenziert Everspin an Globalfoundries, so dass das Unternehmen dann auch embedded MRAMs als Option für nichtflüchtige Speicher anbieten kann.

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