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Everspin

Erstes 1-GBit-ST-MRAM in Mustern

8. August 2017, 8:07 Uhr | Heinz Arnold

Phill LoPresti, CEO von Everspin, mit einem 300-mm-Wafer, auf dem sich die 1-GBit-pMTJ-STT-MRAMs befinden.

Everspin liefert das erste Spin-Torque-MRAM mit einer Speicherdichte von 1 GBit in Mustern aus.

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Finden diese nichtflüchtigen MRAM-ICs (Magentoresistive RAM) in Massenspeichern Einsatz, so müssen sie nicht mehr mit Supercaps und Batterien gegen Stromausfälle geschützt werden. Auf dem Flash Memory Summit, der gerade in Santa Clara stattfindet, stellt Everspin den neuen Speicher vom Typ EMD4E001G vor. Grundlage der Sin-Torque-MRAM-ICs (ST-MRAMs) ist die von Everspin entwickelte Perpendicular-Magnetic-Tunnel-Junction-Technik (pMTJ). Die ICs fertigt Globafoundries auf 300-mm-Wafern mit Hilfe des 28-nm-CMOS-Prozesses.

Der größte MRAM, den Everspin bisher geliefert hat, ist der 256-MBit-Typ. »Dass die Anwender jetzt die Vorteile der neusten 1-GBit-Typen in ihren Systemen ausprobieren können, ist ein Meilenstein für Everspin«, sagt Phill LoPresti, CEO von Everspin.

1- und 2-GByte nvNITRO-NVMe-SSDs

Auf Basis der ST-MRAMs zeigt Everspin auf dem Flash Memory Summit auch die neusten NVMe-SSDs vom Typ nvNITRO, die sich durch sehr schnelle Schreib- und Lesezeiten auszeichnen. In den neuen 1-GByte- und 2-GByte-nvNITRO-Typen arbeiten die 256-MBit-DDR3-ST-MRAMs von Everspin. Das Unternehmen bietet Half-Hight-Half-Length-PCIe-Karten und U.2-Bauformen an. Beide sind für NVMe und Memory Mapped IO ausgelegt. The nvNITRO-Beschleuniger vom Typ ES1GB und ES2GB erreichen 1.500.000 IOPS und eine End-to-End-Latency von 6 µs. Die ST-MRAMs überstehen eine hohe Zahl von Schreib-Lösch-Zyklen unbeschadet. Deshalb entfallen die komplizierten Algorithmen, um die beschränkte Anzahl von Schreib-Lösch-Zyklen einer jeden NAND-Speicherzelle über das gesamte Array gleichmäßig zu verteilen.

Auf den nvNITRO-Produkten arbeiten die ST-MRAMs in Kombination mit den UltraScale-FPGAs von Xilinx. »Das reduziert die Latency signifikant und vereinfacht den Schutz von kritischen Daten«, sagt Manish Muthal, Vice President of Data Center von Xilnx. »nvNITRO wird zu einer disruptiven Veränderung im Massenspeichermarkt führen«, ist Mike Rubino überzeugt, Vice President of Worldwide Engineering von SMART Modular Technologies.

Die Lieferung in Stückzahlen will Everspin im vierten Quartal dieses Jahres aufnehmen, den Grundpreis beziffert das Unternehmen auf 2.200 Dollar.