Leistungshalbleiter

© Hy-Line Power Components

Im Sortiment von Hy-Line

Kostengünstige Si-Dioden, leistungsfähig wie SiC-Dioden

Bei Hy-Line Power Components sind die Qspeed-Dioden von Power Integrations erhältlich. Die Qspeed-Dioden kombinieren die Vorteile von PIN-Dotierung und Schottky-Übergängen. Damit sind sie ähnlich leistungsfähig wie SiC-Dioden.

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© Nexperia

Gleichrichter-Portfolio von Nexperia

PN- und Trench-Schottky-Gleichrichter im CFP-Gehäuse

Nexperia hat mehrere neue PN- und Trench-Schottky-Gleichrichter für Leistungsanwendungen…

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© Vishay Intertechnology

Planar-Gehäuse spart Platz

Miniatur-Gate-Ansteuerungs-Übertrager von Vishay

Vishay präsentiert eine neue Serie von Gate-Treiber-Übertragern. Durch ihr besonders…

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© Texas Instruments

Für Lidar-Anwendungen

Schnelle GaN-FETs von Texas Instruments

Texas Instruments erweitert sein GaN-Portfolio um zwei GaN-Feldeffekt-Transistoren für…

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© STMicroelectronics

Kosteneffektive Leistungswandlung

Acepack-Leistungsmodule für 3 bis 30 kW

Die neuen Acepack-Module (Adaptable Compact Easier PACKage) von STMicroelectronics sind…

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© Analog Devices

Analog Devices und Microsemi

Gate-Treiber-Board für SiC-Leistungsmodule

In Zusammenarbeit mit Microsemi stellt Analog Devices ein isoliertes…

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HF-Leistungshalbleiter

Cree kauft HF-Leistungshalbleitersparte von Infineon

Vor rund einem Jahr scheiterte die von Infineon geplante Übernahme von Wolfspeed, einer…

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© Infineon

Hochfrequenz-Leistungskomponenten

Cree kauft Geschäftsbereich von Infineon

Cree übernimmt für circa 345 Millionen Euro den größten Teil des Geschäfts für…

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© Componeers GmbH

APEC 2018 / Seminar

GaN-Bauteile richtig einsetzen

Auf der APEC hat der GaN-Pionier EPC ein Seminar zum Thema »Maximieren der Performance von…

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© Infineon

Infineon sichert sich Wachstumstechnik

Siliziumkarbid-Wafer von Cree

Infineon hat sich die Versorgung von 150-mm-Wafern von Cree gesichert.

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